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  • 型号: IRF640PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640PBF价格参考¥4.59-¥11.00。VishayIRF640PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF640PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220ABMOSFET N-Chan 200V 18 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF640PBF-

数据手册

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产品型号

IRF640PBFIRF640PBF

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

51 ns

下降时间

36 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 11A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF640PBF

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

125W

功率耗散

125 W

包装

散装

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

180 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

18 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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