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Datasheet下载- 型号： IRF640PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640PBF价格参考￥4.59-￥11.00。VishayIRF640PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF640PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF640PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRF640PBF 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。它具有多种应用场景，特别是在需要高效开关和功率管理的电路中。 1. 电源管理 IRF640PBF 常用于开关电源（SMPS）中，作为主开关管或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使得它在高频开关应用中表现出色，能够有效降低功耗并提高效率。例如，在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源设备中，IRF640PBF 可以帮助实现高效的电压转换和电流控制。 2. 电机驱动 在电机控制领域，IRF640PBF 可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的导通和关断，可以实现对电机速度和扭矩的精确控制。此外，MOSFET 的低导通电阻有助于减少发热，延长电机系统的使用寿命。 3. 电池管理系统 IRF640PBF 还广泛应用于电池管理系统（BMS）中，用于电池充放电保护、电流检测和负载切换。它可以作为电池组中的保护开关，防止过充、过放、短路等情况的发生。同时，由于其低导通电阻，可以在大电流情况下保持较低的压降，减少能量损耗。 4. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中，IRF640PBF 可以用于将直流电转换为交流电，或者改变交流电的频率和电压。MOSFET 的快速开关特性和高耐压能力使其能够在这些应用中稳定工作，确保输出波形的质量和稳定性。 5. 音频放大器 在某些音频放大器设计中，IRF640PBF 可以用作输出级的功率器件，负责将小信号放大为大功率信号。其低噪声特性和良好的线性度有助于提高音频质量，减少失真。 总之，IRF640PBF 以其出色的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效开关和功率管理的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220ABMOSFET N-Chan 200V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF640PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640PBFIRF640PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF640PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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