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IRF640NSTRRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640NSTRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRF640NSTRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF640NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF640NSTRRPBF是一款单通道增强型N沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源:IRF640NSTRRPBF常用于开关模式电源(SMPS)中的功率开关,能够高效地控制电流的通断,实现电压转换和稳压功能。它具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动:该MOSFET适用于直流电机、步进电机等的驱动电路,能够快速响应控制信号,提供稳定的电流输出,确保电机平稳运行。其高开关速度和低栅极电荷特性使其在电机控制应用中表现出色。 3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRF640NSTRRPBF可以作为主功率开关,将直流电转换为交流电,满足不同负载的需求。其良好的热性能和耐用性保证了长时间稳定工作。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电保护电路中,通过精确控制电流路径,防止过充、过放等问题,延长电池寿命。其低导通电阻有助于降低发热,提升系统安全性。 5. LED驱动:在大功率LED照明系统中,IRF640NSTRRPBF可用于恒流源或调光电路,确保LED获得稳定的电流供应,同时支持PWM调光,实现亮度调节。 6. 工业自动化:如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等工业控制系统中,该MOSFET用作信号隔离与功率放大元件,具备较强的抗干扰能力和可靠性。 总之,IRF640NSTRRPBF凭借其优异的电气特性,在众多电力转换及控制领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
Id-连续漏极电流 | 18 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF640NSTRRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF640NSTRRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Qg-GateCharge | 44.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 44.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
上升时间 | 19 ns |
下降时间 | 5.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRF640NSTRRPBFCT |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf640ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf640ns.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |