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  • 型号: IRF640NSTRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF640NSTRLPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640NSTRLPBF价格参考¥3.31-¥3.60。International RectifierIRF640NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF640NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF640NSTRLPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。其应用场景主要包括但不限于以下几个方面:

 1. 开关电源
   IRF640NSTRLPBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为主开关管或同步整流器。它能够快速切换通断状态,从而实现高效的电压转换和调节。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,可以在高频开关条件下减少功率损耗,提高电源效率。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,IRF640NSTRLPBF可以用于控制电机的启停、调速和换向。它适用于中小功率的直流电机驱动电路,如电动工具、家用电器中的风扇、水泵等设备。通过PWM(脉宽调制)技术,MOSFET可以精确控制电机的工作状态,提供平稳的转速控制。

 3. 逆变器
   在光伏逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,IRF640NSTRLPBF可以用于DC-AC逆变电路中,将直流电转换为交流电。其快速的开关速度和较低的导通电阻有助于提高逆变器的效率,并减少热量产生。

 4. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,IRF640NSTRLPBF可以用于保护电路,防止过充、过放、短路等情况发生。它可以通过切断电流路径来保护电池组的安全,确保电池在安全范围内工作。

 5. 汽车电子
   在汽车电子领域,IRF640NSTRLPBF可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、LED照明驱动等场景。它能够承受较高的工作温度和电压波动,适合汽车环境下的严苛要求。

 6. 工业自动化
   在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,IRF640NSTRLPBF可以用于信号隔离、负载驱动等场合。它能够提供可靠的开关功能,确保系统的稳定运行。

总的来说,IRF640NSTRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效、快速响应的开关应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF640NSTRLPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF640NSTRLPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

Qg-GateCharge

44.7 nC

Qg-栅极电荷

44.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

150 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

19 ns

下降时间

5.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1160pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

67nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

150 毫欧 @ 11A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF640NSTRLPBF-ND
IRF640NSTRLPBFTR

典型关闭延迟时间

23 ns

功率-最大值

150W

功率耗散

150 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

150 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

44.7 nC

标准包装

800

正向跨导-最小值

6.8 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

18 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf640ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf640ns.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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