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Datasheet下载- 型号： IRF640NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640NSPBF价格参考￥1.50-￥1.50。International RectifierIRF640NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF640NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF640NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF640NSPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和功率管理的场景。其应用场景广泛，包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 IRF640NSPBF常用于开关电源（SMPS）中，作为主开关管或同步整流器。它能够在高频下实现高效的开关操作，减少能量损耗，提升电源转换效率。该器件适用于AC-DC、DC-DC转换器等应用，能够承受较高的电压和电流，确保系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动 在电机控制领域，IRF640NSPBF可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。它能够提供足够的电流来驱动电机，并且具备低导通电阻（Rds(on)），从而减少发热和能耗。此外，MOSFET的快速开关特性有助于实现精确的速度控制和位置控制。 3. 逆变器 IRF640NSPBF也广泛应用于逆变器电路中，尤其是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中。它可以将直流电转换为交流电，支持高效率的能量传输。由于其耐压能力较高（最大漏源电压Vds可达500V），适合用于高压环境下的逆变器设计。 4. 负载切换与保护 在负载切换应用中，IRF640NSPBF可以用作电子开关，控制电路中的负载通断。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在短时间内完成切换操作，同时减少功耗。此外，MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等场合，确保系统的安全运行。 5. 音频放大器 虽然MOSFET主要用于功率应用，但在某些情况下，IRF640NSPBF也可以用于音频放大器的设计，特别是在D类放大器中。它的快速开关特性和低导通电阻有助于提高放大器的效率，减少失真和噪声。 总结 IRF640NSPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子设备和控制系统中。无论是电源管理、电机驱动、逆变器还是负载切换，它都能提供高效、稳定的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET 200V 24A 0.15 Ohm 25nC Qg 18A ID |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF640NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640NSPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 44.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF640NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 44.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf640ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf640ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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