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Datasheet下载- 型号： IRF640NPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640NPBF价格参考￥1.60-￥2.00。International RectifierIRF640NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF640NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF640NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF640NPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件的主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 开关电源（SMPS）：IRF640NPBF具有低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源中的功率级转换。它能够高效地进行电压和电流的转换，确保电源系统的稳定性和效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，IRF640NPBF可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。其高耐压和大电流能力使其能够在电机启动、加速和制动过程中提供稳定的电流输出，同时减少能量损耗。 3. 逆变器和UPS系统：该MOSFET适用于不间断电源（UPS）和逆变器电路中，用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率，降低热损耗，延长设备使用寿命。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池管理中，IRF640NPBF可用于保护电路，防止过充、过放和短路等异常情况。它还可以用于电池组的均衡电路，确保各个电池单元的电压一致，延长电池寿命。 5. LED驱动：IRF640NPBF可用于LED照明系统的驱动电路中，提供高效的电流控制和调光功能。其低导通电阻减少了发热，提高了系统的整体能效。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等，IRF640NPBF可以用于信号放大、负载切换和保护等功能，确保系统的可靠性和安全性。 7. 汽车电子：该MOSFET也适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电动窗、座椅调节等。其高可靠性和抗干扰能力使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总之，IRF640NPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，成为多种电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF640NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640NPBF |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 44.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF640NPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 44.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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