ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF630NSTRRPBF
Datasheet下载- 型号： IRF630NSTRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630NSTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRF630NSTRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF630NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF630NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF630NSTRRPBF是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及各种需要高效电能转换和控制的电路。 该器件具有以下特点： 1. 高耐压：IRF630的最大漏源电压（VDS）为500V，适用于高压应用环境。 2. 低导通电阻：在栅极电压为10V时，导通电阻（RDS(on)）仅为0.47Ω，有助于减少传导损耗，提高效率。 3. 快速开关特性：具备较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。 4. 大电流承载能力：连续漏极电流（ID）可达9.2A（25℃），峰值脉冲电流（IDM）可达180A，适合大电流负载的应用场景。 5. TO-220封装：易于散热设计，便于安装和维护。 具体应用方面： - 开关电源：作为主开关管，用于DC-DC转换器或AC-DC适配器中，实现高效的电压转换。 - 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路，提供高效的电流控制。 - 逆变器：应用于光伏逆变器或UPS系统中，将直流电转换为交流电，确保稳定输出。 - 电池管理系统：用于电池充放电保护电路，防止过充、过放等异常情况，保障电池安全。 - 工业自动化：如PLC控制器中的开关元件，用于控制电磁阀、继电器等设备。 总之，IRF630NSTRRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电力电子设备中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF630NSTRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF630NSTRRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 82 W |
| Pd-功率耗散 | 82 W |
| Qg-GateCharge | 23.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 575pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 82W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 4.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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