ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF630NSTRR
Datasheet下载- 型号： IRF630NSTRR
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630NSTRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630NSTRR价格参考。International RectifierIRF630NSTRR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF630NSTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF630NSTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF630NSTRR是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用领域包括开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效开关和功率控制的电路。该器件具有低导通电阻、高击穿电压（最大可达200V）和快速开关速度等优点，适用于多种工业和消费电子产品。 1. 开关电源：在开关电源中，IRF630NSTRR用于实现高效的DC-DC转换。它可以在高频条件下进行快速开关操作，从而提高电源转换效率并减少热量损失。此外，其低导通电阻有助于降低传导损耗，使得电源系统更加节能。 2. 电机驱动：对于小型直流电机或步进电机的驱动电路，IRF630NSTRR可以作为功率开关元件，通过PWM（脉宽调制）信号来控制电机的速度和方向。其高耐压特性和快速响应能力使其能够承受电机启动时的大电流冲击，并确保稳定运行。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IRF630NSTRR可用于构建H桥或全桥拓扑结构，以将直流电转换为交流电。其出色的开关性能和可靠性保证了逆变器能够在不同负载条件下正常工作。 4. 保护电路：由于具备较高的击穿电压和良好的热稳定性，IRF630NSTRR也常被用作过流保护、短路保护等安全措施中的关键组件。当检测到异常情况时，它可以迅速切断电流路径，防止损坏其他敏感设备。 总之，IRF630NSTRR凭借其优异的电气特性，在各种需要高效能、高可靠性的电子设备中得到了广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF630NSTRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 575pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 82W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A （Tc） |
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