PD - 95047A IRF630NPbF IRF630NSPbF (cid:1) Advanced Process Technology IRF630NLPbF (cid:1) Dynamic dv/dt Rating HEXFET® Power MOSFET (cid:1) 175°C Operating Temperature (cid:1) Fast Switching D (cid:1) Fully Avalanche Rated VDSS = 200V (cid:1) Ease of Paralleling (cid:1) Simple Drive Requirements R = 0.30Ω DS(on) (cid:1) Lead-Free G Description I = 9.3A Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from D S International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on- TO-220AB D2Pak TO-262 resistance in any existing surface mount package. The IRF630NPbF IRF630NSPbF IRF630NLPbF D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF630NL) is available for low- profile application. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 9.3 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 6.5 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:1) 37 DM P @T = 25°C Power Dissipation 82 W D C Linear Derating Factor 0.5 W/°C V Gate-to-Source Voltage ±20 V GS E Single Pulse Avalanche Energy(cid:2) 94 mJ AS I Avalanche Current(cid:1) 9.3 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:1) 8.2 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3) 8.1 V/ns T Operating Junction and -55 to +175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew(cid:4) 10 lbf•in (1.1N•m) www.irf.com 1 07/23/10

IRF630N/S/LPbF Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 200 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.26 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 0.30 Ω VGS = 10V, ID = 5.4A(cid:2)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 4.9 ––– ––– S VDS = 50V, ID = 5.4A (cid:3) IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 25 µA VDS = 200V, VGS = 0V ––– ––– 250 VDS = 160V, VGS = 0V, TJ = 150°C IGSS GGaattee--ttoo--SSoouurrccee FRoervwearsrde LLeeaakkaaggee –––––– –––––– -110000 nA VVGGSS == -2200VV Qg Total Gate Charge ––– ––– 35 ID = 5.4A Qgs Gate-to-Source Charge ––– ––– 6.5 nC VDS = 160V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– ––– 17 VGS = 10V (cid:5) td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.9 ––– VDD = 100V tr Rise Time ––– 14 ––– ns ID = 5.4A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 27 ––– RG = 13Ω tf Fall Time ––– 15 ––– RD = 18Ω(cid:2)(cid:5) Between lead, D L Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– D 6mm (0.25in.) nH from package G LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– and center of die contact S Ciss Input Capacitance ––– 575 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 89 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 25 ––– pF ƒ = 1.0MHz Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 9.3 MOSFET symbol D (Body Diode) (cid:1) showing the ISM Pulsed Source Current integral reverse G (Body Diode)(cid:1) ––– ––– 37 p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 5.4A, VGS = 0V (cid:5) trr Reverse Recovery Time ––– 117 176 ns TJ = 25°C, IF = 5.4A Qrr Reverse Recovery Charge ––– 542 813 nC di/dt = 100A/µs (cid:5) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.83 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface (cid:4) 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient(cid:4) ––– 62 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount)(cid:6) ––– 40 www.irf.com 2

IRF630N/S/LPbF 100 100 VGS VGS TOP 15V TOP 15V A) 180.0VV A) 180.0VV nt ( 76..00VV nt ( 76..00VV urre 10 BOTTOM554...505VVV urre BOTTOM554...505VVV C C 10 e e c c ur ur So 1 So o- 4.5V o- 4.5V n-t n-t ai ai 1 Dr Dr I , D0.1 I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C TJ = 175°C 0.01 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) 100 e 3.5 ID=9.3A c n ) a nt (A esist 3.0 e R ource Curr 10 TJ = 175 ° C ource On alized) 22..05 S Sm o- o-or 1.5 n-t TJ = 25 ° C n-t(N ai 1 ai Dr Dr 1.0 I , D V20 D µ Ss =P U50LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 0.1 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature( ° C) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:2)(cid:14)(cid:7)(cid:17)(cid:16)(cid:18)(cid:15)(cid:14)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:22)(cid:15)(cid:23)(cid:1)(cid:9)(cid:17)(cid:24)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:15) (cid:26)(cid:16)(cid:27)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:14)(cid:15) www.irf.com 3

IRF630N/S/LPbF 1200 16 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID=5.4A Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED V) VDS= 160V 1000 Crss = Cgd e ( VVDS== 4100V0V C = C + C g DS oss ds gd a 12 F) 800 Volt epancc(ti 600 Ciss Source 8 a - p o Ca Coss e-t C, 400 Gat 200 Crss V , GS 4 0 0 0 5 10 15 20 25 30 1 10 100 1000 Q , Total Gate Charge (nC) G V , Drain-to-Source Voltage (V) DS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:12)(cid:7)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:16)(cid:27) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:12)(cid:12)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)!!(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:7)(cid:7)(cid:14)(cid:14) (cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:16)(cid:16)(cid:27)(cid:27) (cid:29)(cid:14)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:24)(cid:11)(cid:20)(cid:24)(cid:28)(cid:20)(cid:10)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:11)(cid:7) (cid:15) !!(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:15)(cid:15)(cid:24)(cid:24)(cid:11)(cid:11)(cid:20)(cid:20)(cid:24)(cid:24)(cid:28)(cid:28)(cid:20)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:20)(cid:20)(cid:8)(cid:8)(cid:11)(cid:11)(cid:7)(cid:7) (cid:15)(cid:15) 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R A) DS(on) ( nt e )) 100 r AA Cur 10 nt (nt ( ain TJ = 175 ° C urreurre 10us Dr CC 10 e n n s aiai 100us er TJ = 25 ° C DrDr v I , ReSD 1 I , I , D 1 T = 25 ° C 11m0mss C T = 175 °C J V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 10 100 1000 VS D ,Source-to-Drain Voltage (V) VD S , Drain-to-Source Voltage (V) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:10)(cid:10)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:20)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)(cid:24)(cid:24)(cid:29)(cid:29)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17)(cid:1)(cid:1)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:5)(cid:20)(cid:20)(cid:23)(cid:23)(cid:15)(cid:15) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:13)(cid:6)(cid:1)(cid:1)"(cid:7)#(cid:5)(cid:21)(cid:10)(cid:21)(cid:1)(cid:28)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:1)(cid:9)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:17) (cid:1)$(cid:14)(cid:15)(cid:7) (cid:30)(cid:30)(cid:20)(cid:20)(cid:14)(cid:14)(cid:31)(cid:31)(cid:7)(cid:7)(cid:14)(cid:14)(cid:23)(cid:23)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:20)(cid:20)(cid:8)(cid:8)(cid:11)(cid:11)(cid:7)(cid:7) (cid:15)(cid:15) www.irf.com 4

IRF630N/S/LPbF (cid:2) (cid:1) (cid:3)(cid:3) 12 (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2) 12 (cid:3)(cid:3) (cid:21)(cid:21)(cid:2)(cid:2) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:2)(cid:2) (cid:21)(cid:21) A) 9 (cid:3)+-(cid:1)(cid:1) rent (A)urrent (9 (cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:8)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:9)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:8)≤≤ 11 (cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6) n Curain C6 6 (cid:1)(cid:1)(cid:4)(cid:4)(cid:12)(cid:12)(cid:15)(cid:15)(cid:8)(cid:8)(cid:16)(cid:16)(cid:17)(cid:17)(cid:18)(cid:18)(cid:12)(cid:12)(cid:19)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:8)(cid:8)≤≤ 00..11 %% aiDr (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:15)(cid:15)(cid:16)(cid:16)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:31)(cid:31)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11)(cid:6)(cid:6)(cid:13)(cid:13)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15)(cid:15)(cid:16)(cid:16)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:5)(cid:5)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:10)(cid:10)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11) I , DrDI , D3 3 VVDDSS 9900%% 0 0 25 50 75 100 125 150 175 25 50T T C , C7, 5aCsaes Te 1eT0me0mpeprea1rt2ua5rtuer(e ° (C1 °5 )C0) 175 1100%% C VVGGSS ttdd((oonn)) ttrr ttdd((ooffff)) ttff (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)""(cid:7)(cid:7)##(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:21)(cid:1)(cid:1)(cid:29)(cid:29)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:16)(cid:16)(cid:27)(cid:27) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:31)(cid:31)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11)(cid:6)(cid:6)(cid:13)(cid:13)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)%%(cid:7)(cid:7)&&(cid:15)(cid:15)(cid:18)(cid:18)(cid:20)(cid:20)(cid:14)(cid:14)(cid:21)(cid:21)(cid:16)(cid:16) (cid:12)(cid:12)(cid:7)(cid:7)(cid:16)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15)(cid:15)(cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:15)(cid:15)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:15) 10 ) Z thJC ( 1 D = 0.50 e s n o 0.20 p es 0.10 R al 0.05 PDM rm 0.1 00..0012 (THSEIRNMGALLE RPEUSLPSOENSE) t1 e h t2 T Notes: 1. Duty factor D =t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)""(cid:7)(cid:7)##(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:21)(cid:1)(cid:1)’’(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:15)(cid:15)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:5)(cid:5)&&(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:17)(cid:17)(cid:16)(cid:16)(cid:5)(cid:5)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:15)(cid:14)(cid:14)(cid:21)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(((cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:15)(cid:15)(cid:23)(cid:23)(cid:7)(cid:7)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)))(cid:1)(cid:1)**(cid:10)(cid:10)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:5)(cid:5)(cid:20)(cid:20)(cid:17)(cid:17)(cid:24)(cid:24)(cid:11)(cid:11)(cid:20)(cid:20)(cid:24)(cid:24)(cid:12)(cid:12)(cid:7)(cid:7)(cid:16)(cid:16)(cid:15)(cid:15) www.irf.com 5

IRF630N/S/LPbF mJ) 200 ID 15V y ( TOP 2.2A g 3.8A er BOTTOM 5.4A n VDS L DRIVER e E 150 h c n RG D.U.T +- VDD vala 100 IAS A A 20V e tp 0.01Ω uls P (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:1).(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:7)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:23)(cid:1)((cid:17)(cid:23)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:5)&(cid:15)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:5)(cid:14)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:11) e gl 50 n Si tp V(BR)DSS E , AS 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature( ° C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:18)(cid:6)(cid:1)(cid:1)"(cid:7)#(cid:5)(cid:21)(cid:10)(cid:21)(cid:1)$&(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:13)(cid:15)(cid:1)’(cid:17)(cid:15)(cid:14) (cid:3) (cid:26)(cid:16)(cid:27)(cid:1)(cid:29)(cid:14)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:1)(cid:12)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:17)(cid:11) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:6)(cid:4)(cid:1).(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:7)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:23)(cid:1)((cid:17)(cid:23)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:5)&(cid:15)(cid:1)%(cid:7)&(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:16) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF +,(cid:1)(cid:26) + D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:1)-(cid:7)(cid:16)(cid:5)(cid:6)(cid:1)!(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14) (cid:15)(cid:1)%(cid:7)&(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:14)(cid:21) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:17)(cid:6)(cid:4)(cid:1)!(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14) (cid:15)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:5)(cid:14)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:11) www.irf.com 6

IRF630N/S/LPbF (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + &(cid:18)(cid:15)(cid:19)"(cid:18)(cid:26)(cid:10)(cid:16)(cid:30)(cid:29)(cid:14)"(cid:26)(cid:10)&(cid:14)(cid:27)(cid:23)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:15)(cid:30)(cid:26)(cid:18)(cid:14)(cid:27)(cid:23) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) • (cid:10)(cid:16)(cid:14)’(cid:10)((cid:26)(cid:15)(cid:30)(cid:29)(cid:10)!(cid:27)(cid:24)"(cid:19)(cid:26)(cid:30)(cid:27)(cid:19)(cid:20) (cid:10)(cid:10) • )(cid:15)(cid:14)"(cid:27)(cid:24)(cid:10)*(cid:22)(cid:30)(cid:27)(cid:20) (cid:5) (cid:10)(cid:10) • (cid:16)(cid:14)’(cid:10)(cid:16)(cid:20)(cid:30)+(cid:30)(cid:17)(cid:20)(cid:10)!(cid:27)(cid:24)"(cid:19)(cid:26)(cid:30)(cid:27)(cid:19)(cid:20) (cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)&"(cid:15)(cid:15)(cid:20)(cid:27)(cid:26)(cid:10)(cid:7)(cid:15)(cid:30)(cid:27)(cid:23)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:31)(cid:20)(cid:15) - + (cid:2) (cid:4) - + - (cid:1) (cid:2)(cid:21) • (cid:24)(cid:21)(cid:25)(cid:24)(cid:26)(cid:10)(cid:19)(cid:14)(cid:27)(cid:26)(cid:15)(cid:14)(cid:22)(cid:22)(cid:20)(cid:24)(cid:10)(cid:28)(cid:29)(cid:10)(cid:2)(cid:21) + • (cid:4)(cid:15)(cid:18)(cid:21)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:23)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:10)(cid:26)(cid:29) (cid:20)(cid:10)(cid:30)(cid:23)(cid:10)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:3) • ! (cid:10)(cid:19)(cid:14)(cid:27)(cid:26)(cid:15)(cid:14)(cid:22)(cid:22)(cid:20)(cid:24)(cid:10)(cid:28)(cid:29)(cid:10)(cid:4)"(cid:26)(cid:29)(cid:10)#(cid:30)(cid:19)(cid:26)(cid:14)(cid:15)(cid:10)$(cid:4)$ - (cid:1)(cid:1) (cid:2)(cid:1) • (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:10)%(cid:10)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:10)(cid:6)(cid:27)(cid:24)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:7)(cid:20)(cid:23)(cid:26) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V =10V / GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt V DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD /(cid:10)(cid:3) (cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:3)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:22)(cid:10)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:23) (cid:21)(cid:2) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:4)For N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFETs www.irf.com 7

IRF630N/S/LPbF (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:23)(cid:8)(cid:2)(cid:24)(cid:12)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:23) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 19, 2000 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead - Free" LOT CODE WEEK 19 LINE C TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application Notes: 1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 8

IRF630N/S/LPbF (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:26)(cid:4)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:5)(cid:8)(cid:28)(cid:17)(cid:29)(cid:19)(cid:20)(cid:27) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:16)(cid:17)(cid:5)(cid:18)(cid:3)(cid:16)(cid:4)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:5)(cid:22)(cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:16)(cid:25)(cid:3)(cid:17)(cid:19)(cid:24)(cid:20) TLHOITS CISO ADNE I8R0F25430S WITH INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 LINE L OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD - FREE PRODUCT (OPTIONAL) ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

IRF630N/S/LPbF TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 19, 1997 INTREERCNTAIFTIIEORNAL IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO Note: "P" in assembly line DATE CODE position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY YEAR 7 = 1997 LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 10

IRF630N/S/LPbF D2Pak Tape & Reel Infomation Dimensions are shown in millimeters (inches) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 43..1900 ((..116513)) 11..6500 ((..006539)) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 1155..4222 ((..660091)) 2243..3900 ((..995471)) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:1)(cid:10)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:5) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. max. junction temperature. (cid:4) This is only applied to TO-220AB package. (cid:2) (cid:10)Starting T = 25°C, L = 6.5mH J R = 25Ω, I = 5.4A. G AS (cid:6)(cid:10)This is applied to D2Pak, when mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. (cid:3)ISD ≤(cid:10)5.4A,(cid:10)di/d(cid:26)(cid:10)≤(cid:10)280A/µs, VDD(cid:8)≤(cid:10)V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C. Data and specifications subject to change without notice. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.07/2010 www.irf.com 11