ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF630NLPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRF630NLPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF630NLPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630NLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630NLPBF价格参考。International RectifierIRF630NLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262。您可以下载IRF630NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF630NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。 

Infineon Technologies的IRF630NLPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。这款器件具有多种应用场景，尤其适用于需要高效功率转换和开关操作的领域。

 1. 电源管理
   IRF630NLPBF广泛应用于各种电源管理系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使得它能够在高频率下高效工作，减少能量损耗，提高整体电源效率。此外，它还可以用于电压调节模块（VRM）中，确保稳定的电压输出，满足不同负载的需求。

 2. 电机驱动
   在电机控制应用中，IRF630NLPBF可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的耐压能力（最高可达200V）使其能够承受电机启动时的瞬态高压冲击，同时其低导通电阻有助于降低发热，延长器件寿命。常见的应用包括步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。

 3. 逆变器
   该MOSFET在光伏逆变器和其他类型的逆变器中也有广泛应用。它能够将直流电转换为交流电，适用于太阳能发电系统中的电力转换。IRF630NLPBF的高耐压和快速开关特性使得它能够在逆变器中实现高效的能量转换，减少能量损失，提升系统的整体性能。

 4. 电池管理系统（BMS）
   在电池管理系统中，IRF630NLPBF可用于电池充放电保护电路。它可以在过流、短路或过温等异常情况下迅速切断电流路径，保护电池免受损坏。此外，它还可以用于电池均衡电路中，确保各个电池单元的电压保持一致，延长电池组的使用寿命。

 5. 工业自动化
   在工业自动化设备中，IRF630NLPBF常用于控制电磁阀、继电器等执行机构。它的高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作，提供精确的开关控制，确保生产设备的安全运行。

总之，IRF630NLPBF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电池管理和工业自动化等领域，成为众多电子系统中不可或缺的关键元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
ChannelMode

Enhancement
描述

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

标准
FET类型

MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

9.3 A
Id-连续漏极电流

9.3 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF630NLPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRF630NLPBF
PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation

82 W
Pd-功率耗散

82 W
Qg-GateCharge

23.3 nC
Qg-栅极电荷

23.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

300 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

300 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V
Vds-漏源极击穿电压

200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压

20 V
上升时间

14 ns
下降时间

15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

575pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

300 毫欧 @ 5.4A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

TO-262
其它名称

*IRF630NLPBF
典型关闭延迟时间

27 ns
功率-最大值

82W
功率耗散

82 W
包装

管件
商标

International Rectifier
安装类型

通孔
安装风格

Through Hole
导通电阻

300 mOhms
封装

Tube
封装/外壳

TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体

I2PAK-3
工厂包装数量

50
晶体管极性

N-Channel
最大工作温度

+ 175 C
最小工作温度

- 55 C
栅极电荷Qg

23.3 nC
标准包装

50
正向跨导-最小值

4.9 S
汲极/源极击穿电压

200 V
漏极连续电流

9.3 A
漏源极电压(Vdss)

200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

9.3A （Tc）
通道模式

Enhancement
配置

Single
闸/源击穿电压

+/- 20 V
推荐商品

型号：PSMN6R0-30YL,115

品牌：Nexperia USA Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：BSC016N06NSATMA1

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：AOD2N100

品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：TPCA8028-H(TE12LQM

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFH5006TR2PBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SI7812DN-T1-E3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FDAF69N25

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：RFD8P05

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRF630NLPBF 相关产品

AUIRFP4409

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRFS4310ZPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：￥35.07-￥35.07

联系销售

IRFR3709ZTRLPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：￥2.20-￥2.20

联系销售

IRF7748L1TRPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRLR3303TRPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

CSD19534Q5AT

品牌：Texas Instruments

价格：￥4.04-￥5.46

联系销售

RFD3055SM

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

TK65S04N1L,LQ

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

价格：

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
IRFP264NPBF
IRFP4468PBF
IRFU3706
NTMFD4C50NT1G
SIS438DN-T1-GE3
STF28NM50N
NTMFS4833NAT1G
IXTK150N15P
HUF75652G3
NTMFS4C06NT1G
NTTFS3A08PZTWG
RE1L002SNTL
FQAF65N06
PSMN017-30EL,127
IRFH7787TRPBF
SI4442DY-T1-GE3
IRFB3206PBF
IRFS4610TRRPBF
SI7120DN-T1-GE3
FDS2572
STD18NF25
IRFR9024TR
SIHP12N60E-E3
IRFR4104PBF
IXFH24N50
IRFB4229PBF
IRF3305PBF
PSMN045-80YS,115
IXTQ60N20L2
CSD16407Q5
IRF6607TR1
SI7120DN-T1-GE3
IRFU3704
RQ3E120GNTB
FQB27P06TM
IRFIBE30G
ZXMN2A01E6TA
AOT474
STD70N03L-1
IRLZ34NSPBF
IRL3103SPBF
NTMS4916NR2G
CSD17553Q5A
STW28NM50N
TPN1110ENH,L1Q
SI4401DY-T1-E3
SI4410DYPBF
STD150N3LLH6
IXFC26N50P
CSD18540Q5B
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD - 95047A IRF630NPbF IRF630NSPbF (cid:1) Advanced Process Technology IRF630NLPbF (cid:1) Dynamic dv/dt Rating HEXFET® Power MOSFET (cid:1) 175°C Operating Temperature (cid:1) Fast Switching D (cid:1) Fully Avalanche Rated VDSS = 200V (cid:1) Ease of Paralleling (cid:1) Simple Drive Requirements R = 0.30Ω DS(on) (cid:1) Lead-Free G Description I = 9.3A Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from D S International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on- TO-220AB D2Pak TO-262 resistance in any existing surface mount package. The IRF630NPbF IRF630NSPbF IRF630NLPbF D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF630NL) is available for low- profile application. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 9.3 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 6.5 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:1) 37 DM P @T = 25°C Power Dissipation 82 W D C Linear Derating Factor 0.5 W/°C V Gate-to-Source Voltage ±20 V GS E Single Pulse Avalanche Energy(cid:2) 94 mJ AS I Avalanche Current(cid:1) 9.3 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:1) 8.2 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3) 8.1 V/ns T Operating Junction and -55 to +175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew(cid:4) 10 lbf•in (1.1N•m) www.irf.com 1 07/23/10

IRF630N/S/LPbF Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 200 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.26 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 0.30 Ω VGS = 10V, ID = 5.4A(cid:2)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 4.9 ––– ––– S VDS = 50V, ID = 5.4A (cid:3) IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 25 µA VDS = 200V, VGS = 0V ––– ––– 250 VDS = 160V, VGS = 0V, TJ = 150°C IGSS GGaattee--ttoo--SSoouurrccee FRoervwearsrde LLeeaakkaaggee –––––– –––––– -110000 nA VVGGSS == -2200VV Qg Total Gate Charge ––– ––– 35 ID = 5.4A Qgs Gate-to-Source Charge ––– ––– 6.5 nC VDS = 160V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– ––– 17 VGS = 10V (cid:5) td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.9 ––– VDD = 100V tr Rise Time ––– 14 ––– ns ID = 5.4A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 27 ––– RG = 13Ω tf Fall Time ––– 15 ––– RD = 18Ω(cid:2)(cid:5) Between lead, D L Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– D 6mm (0.25in.) nH from package G LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– and center of die contact S Ciss Input Capacitance ––– 575 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 89 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 25 ––– pF ƒ = 1.0MHz Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 9.3 MOSFET symbol D (Body Diode) (cid:1) showing the ISM Pulsed Source Current integral reverse G (Body Diode)(cid:1) ––– ––– 37 p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 5.4A, VGS = 0V (cid:5) trr Reverse Recovery Time ––– 117 176 ns TJ = 25°C, IF = 5.4A Qrr Reverse Recovery Charge ––– 542 813 nC di/dt = 100A/µs (cid:5) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.83 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface (cid:4) 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient(cid:4) ––– 62 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount)(cid:6) ––– 40 www.irf.com 2

IRF630N/S/LPbF 100 100 VGS VGS TOP 15V TOP 15V A) 180.0VV A) 180.0VV nt ( 76..00VV nt ( 76..00VV urre 10 BOTTOM554...505VVV urre BOTTOM554...505VVV C C 10 e e c c ur ur So 1 So o- 4.5V o- 4.5V n-t n-t ai ai 1 Dr Dr I , D0.1 I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C TJ = 175°C 0.01 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) 100 e 3.5 ID=9.3A c n ) a nt (A esist 3.0 e R ource Curr 10 TJ = 175 ° C ource On alized) 22..05 S Sm o- o-or 1.5 n-t TJ = 25 ° C n-t(N ai 1 ai Dr Dr 1.0 I , D V20 D µ Ss =P U50LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 0.1 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature( ° C) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:2)(cid:14)(cid:7)(cid:17)(cid:16)(cid:18)(cid:15)(cid:14)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:22)(cid:15)(cid:23)(cid:1)(cid:9)(cid:17)(cid:24)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:15) (cid:26)(cid:16)(cid:27)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:14)(cid:15) www.irf.com 3

IRF630N/S/LPbF 1200 16 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID=5.4A Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED V) VDS= 160V 1000 Crss = Cgd e ( VVDS== 4100V0V C = C + C g DS oss ds gd a 12 F) 800 Volt epancc(ti 600 Ciss Source 8 a - p o Ca Coss e-t C, 400 Gat 200 Crss V , GS 4 0 0 0 5 10 15 20 25 30 1 10 100 1000 Q , Total Gate Charge (nC) G V , Drain-to-Source Voltage (V) DS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:12)(cid:7)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:16)(cid:27) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:12)(cid:12)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)!!(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:7)(cid:7)(cid:14)(cid:14) (cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:16)(cid:16)(cid:27)(cid:27) (cid:29)(cid:14)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:24)(cid:11)(cid:20)(cid:24)(cid:28)(cid:20)(cid:10)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:11)(cid:7) (cid:15) !!(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:15)(cid:15)(cid:24)(cid:24)(cid:11)(cid:11)(cid:20)(cid:20)(cid:24)(cid:24)(cid:28)(cid:28)(cid:20)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:20)(cid:20)(cid:8)(cid:8)(cid:11)(cid:11)(cid:7)(cid:7) (cid:15)(cid:15) 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R A) DS(on) ( nt e )) 100 r AA Cur 10 nt (nt ( ain TJ = 175 ° C urreurre 10us Dr CC 10 e n n s aiai 100us er TJ = 25 ° C DrDr v I , ReSD 1 I , I , D 1 T = 25 ° C 11m0mss C T = 175 °C J V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 10 100 1000 VS D ,Source-to-Drain Voltage (V) VD S , Drain-to-Source Voltage (V) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:10)(cid:10)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:20)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)(cid:24)(cid:24)(cid:29)(cid:29)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17)(cid:1)(cid:1)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:5)(cid:20)(cid:20)(cid:23)(cid:23)(cid:15)(cid:15) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:13)(cid:6)(cid:1)(cid:1)"(cid:7)#(cid:5)(cid:21)(cid:10)(cid:21)(cid:1)(cid:28)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:1)(cid:9)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:17) (cid:1)$(cid:14)(cid:15)(cid:7) (cid:30)(cid:30)(cid:20)(cid:20)(cid:14)(cid:14)(cid:31)(cid:31)(cid:7)(cid:7)(cid:14)(cid:14)(cid:23)(cid:23)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:20)(cid:20)(cid:8)(cid:8)(cid:11)(cid:11)(cid:7)(cid:7) (cid:15)(cid:15) www.irf.com 4

IRF630N/S/LPbF (cid:2) (cid:1) (cid:3)(cid:3) 12 (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2) 12 (cid:3)(cid:3) (cid:21)(cid:21)(cid:2)(cid:2) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:2)(cid:2) (cid:21)(cid:21) A) 9 (cid:3)+-(cid:1)(cid:1) rent (A)urrent (9 (cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:8)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:9)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:8)≤≤ 11 (cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6) n Curain C6 6 (cid:1)(cid:1)(cid:4)(cid:4)(cid:12)(cid:12)(cid:15)(cid:15)(cid:8)(cid:8)(cid:16)(cid:16)(cid:17)(cid:17)(cid:18)(cid:18)(cid:12)(cid:12)(cid:19)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:8)(cid:8)≤≤ 00..11 %% aiDr (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:15)(cid:15)(cid:16)(cid:16)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:31)(cid:31)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11)(cid:6)(cid:6)(cid:13)(cid:13)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15)(cid:15)(cid:16)(cid:16)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:5)(cid:5)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:10)(cid:10)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11) I , DrDI , D3 3 VVDDSS 9900%% 0 0 25 50 75 100 125 150 175 25 50T T C , C7, 5aCsaes Te 1eT0me0mpeprea1rt2ua5rtuer(e ° (C1 °5 )C0) 175 1100%% C VVGGSS ttdd((oonn)) ttrr ttdd((ooffff)) ttff (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)""(cid:7)(cid:7)##(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:21)(cid:1)(cid:1)(cid:29)(cid:29)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:16)(cid:16)(cid:27)(cid:27) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:31)(cid:31)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11)(cid:6)(cid:6)(cid:13)(cid:13)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)%%(cid:7)(cid:7)&&(cid:15)(cid:15)(cid:18)(cid:18)(cid:20)(cid:20)(cid:14)(cid:14)(cid:21)(cid:21)(cid:16)(cid:16) (cid:12)(cid:12)(cid:7)(cid:7)(cid:16)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15)(cid:15)(cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:15)(cid:15)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:15) 10 ) Z thJC ( 1 D = 0.50 e s n o 0.20 p es 0.10 R al 0.05 PDM rm 0.1 00..0012 (THSEIRNMGALLE RPEUSLPSOENSE) t1 e h t2 T Notes: 1. Duty factor D =t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)""(cid:7)(cid:7)##(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:21)(cid:1)(cid:1)’’(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:15)(cid:15)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:5)(cid:5)&&(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:17)(cid:17)(cid:16)(cid:16)(cid:5)(cid:5)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:15)(cid:14)(cid:14)(cid:21)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(((cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:15)(cid:15)(cid:23)(cid:23)(cid:7)(cid:7)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)))(cid:1)(cid:1)**(cid:10)(cid:10)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:5)(cid:5)(cid:20)(cid:20)(cid:17)(cid:17)(cid:24)(cid:24)(cid:11)(cid:11)(cid:20)(cid:20)(cid:24)(cid:24)(cid:12)(cid:12)(cid:7)(cid:7)(cid:16)(cid:16)(cid:15)(cid:15) www.irf.com 5

IRF630N/S/LPbF mJ) 200 ID 15V y ( TOP 2.2A g 3.8A er BOTTOM 5.4A n VDS L DRIVER e E 150 h c n RG D.U.T +- VDD vala 100 IAS A A 20V e tp 0.01Ω uls P (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:1).(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:7)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:23)(cid:1)((cid:17)(cid:23)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:5)&(cid:15)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:5)(cid:14)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:11) e gl 50 n Si tp V(BR)DSS E , AS 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature( ° C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:18)(cid:6)(cid:1)(cid:1)"(cid:7)#(cid:5)(cid:21)(cid:10)(cid:21)(cid:1)$&(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:13)(cid:15)(cid:1)’(cid:17)(cid:15)(cid:14) (cid:3) (cid:26)(cid:16)(cid:27)(cid:1)(cid:29)(cid:14)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:1)(cid:12)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:17)(cid:11) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:6)(cid:4)(cid:1).(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:7)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:23)(cid:1)((cid:17)(cid:23)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:5)&(cid:15)(cid:1)%(cid:7)&(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:16) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF +,(cid:1)(cid:26) + D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:1)-(cid:7)(cid:16)(cid:5)(cid:6)(cid:1)!(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14) (cid:15)(cid:1)%(cid:7)&(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:14)(cid:21) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:17)(cid:6)(cid:4)(cid:1)!(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14) (cid:15)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:5)(cid:14)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:11) www.irf.com 6

IRF630N/S/LPbF (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + &(cid:18)(cid:15)(cid:19)"(cid:18)(cid:26)(cid:10)(cid:16)(cid:30)(cid:29)(cid:14)"(cid:26)(cid:10)&(cid:14)(cid:27)(cid:23)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:15)(cid:30)(cid:26)(cid:18)(cid:14)(cid:27)(cid:23) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) • (cid:10)(cid:16)(cid:14)’(cid:10)((cid:26)(cid:15)(cid:30)(cid:29)(cid:10)!(cid:27)(cid:24)"(cid:19)(cid:26)(cid:30)(cid:27)(cid:19)(cid:20) (cid:10)(cid:10) • )(cid:15)(cid:14)"(cid:27)(cid:24)(cid:10)*(cid:22)(cid:30)(cid:27)(cid:20) (cid:5) (cid:10)(cid:10) • (cid:16)(cid:14)’(cid:10)(cid:16)(cid:20)(cid:30)+(cid:30)(cid:17)(cid:20)(cid:10)!(cid:27)(cid:24)"(cid:19)(cid:26)(cid:30)(cid:27)(cid:19)(cid:20) (cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)&"(cid:15)(cid:15)(cid:20)(cid:27)(cid:26)(cid:10)(cid:7)(cid:15)(cid:30)(cid:27)(cid:23)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:31)(cid:20)(cid:15) - + (cid:2) (cid:4) - + - (cid:1) (cid:2)(cid:21) • (cid:24)(cid:21)(cid:25)(cid:24)(cid:26)(cid:10)(cid:19)(cid:14)(cid:27)(cid:26)(cid:15)(cid:14)(cid:22)(cid:22)(cid:20)(cid:24)(cid:10)(cid:28)(cid:29)(cid:10)(cid:2)(cid:21) + • (cid:4)(cid:15)(cid:18)(cid:21)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:23)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:10)(cid:26)(cid:29) (cid:20)(cid:10)(cid:30)(cid:23)(cid:10)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:3) • ! (cid:10)(cid:19)(cid:14)(cid:27)(cid:26)(cid:15)(cid:14)(cid:22)(cid:22)(cid:20)(cid:24)(cid:10)(cid:28)(cid:29)(cid:10)(cid:4)"(cid:26)(cid:29)(cid:10)#(cid:30)(cid:19)(cid:26)(cid:14)(cid:15)(cid:10)$(cid:4)$ - (cid:1)(cid:1) (cid:2)(cid:1) • (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:10)%(cid:10)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:10)(cid:6)(cid:27)(cid:24)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:7)(cid:20)(cid:23)(cid:26) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V =10V / GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt V DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD /(cid:10)(cid:3) (cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:3)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:22)(cid:10)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:23) (cid:21)(cid:2) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:4)For N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFETs www.irf.com 7

IRF630N/S/LPbF (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:23)(cid:8)(cid:2)(cid:24)(cid:12)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:23) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 19, 2000 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead - Free" LOT CODE WEEK 19 LINE C TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application Notes: 1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 8

IRF630N/S/LPbF (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:26)(cid:4)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:5)(cid:8)(cid:28)(cid:17)(cid:29)(cid:19)(cid:20)(cid:27) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:16)(cid:17)(cid:5)(cid:18)(cid:3)(cid:16)(cid:4)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:5)(cid:22)(cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:16)(cid:25)(cid:3)(cid:17)(cid:19)(cid:24)(cid:20) TLHOITS CISO ADNE I8R0F25430S WITH INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 LINE L OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD - FREE PRODUCT (OPTIONAL) ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

IRF630N/S/LPbF TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 19, 1997 INTREERCNTAIFTIIEORNAL IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO Note: "P" in assembly line DATE CODE position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY YEAR 7 = 1997 LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1. For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2. For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 10

IRF630N/S/LPbF D2Pak Tape & Reel Infomation Dimensions are shown in millimeters (inches) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 43..1900 ((..116513)) 11..6500 ((..006539)) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 1155..4222 ((..660091)) 2243..3900 ((..995471)) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:1)(cid:10)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:5) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. max. junction temperature. (cid:4) This is only applied to TO-220AB package. (cid:2) (cid:10)Starting T = 25°C, L = 6.5mH J R = 25Ω, I = 5.4A. G AS (cid:6)(cid:10)This is applied to D2Pak, when mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. (cid:3)ISD ≤(cid:10)5.4A,(cid:10)di/d(cid:26)(cid:10)≤(cid:10)280A/µs, VDD(cid:8)≤(cid:10)V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C. Data and specifications subject to change without notice. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.07/2010 www.irf.com 11