参数 |
数值 |
产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
ChannelMode |
Enhancement |
描述 |
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp |
产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
FET功能 |
逻辑电平门 |
FET类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent |
9 A |
Id-连续漏极电流 |
9 A |
品牌 |
STMicroelectronics |
产品手册 |
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产品图片 |
|
rohs |
符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 |
晶体管,MOSFET,STMicroelectronics IRF630MESH OVERLAY™ II |
数据手册 |
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产品型号 |
IRF630 |
Pd-PowerDissipation |
75 W |
Pd-功率耗散 |
75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance |
400 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 |
400 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
200 V |
Vds-漏源极击穿电压 |
200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
+/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 |
20 V |
上升时间 |
15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) |
700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
400 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品目录页面 |
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产品种类 |
MOSFET |
供应商器件封装 |
TO-220AB |
其它名称 |
497-2757-5
|
其它有关文件 |
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF63090?referrer=70071840 |
功率-最大值 |
75W |
包装 |
管件 |
商标 |
STMicroelectronics |
安装类型 |
通孔 |
安装风格 |
Through Hole |
封装 |
Tube |
封装/外壳 |
TO-220-3 |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
工具箱 |
/product-detail/zh/497-8004-KIT/497-8004-KIT-ND/811050 |
工厂包装数量 |
1000 |
晶体管极性 |
N-Channel |
最大工作温度 |
+ 150 C |
最小工作温度 |
- 65 C |
标准包装 |
50 |
正向跨导-最小值 |
4 S |
漏源极电压(Vdss) |
200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
9A (Tc) |
系列 |
IRF630 |
通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |