ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF6217TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF6217TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6217TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6217TRPBF价格参考。International RectifierIRF6217TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 700mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF6217TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6217TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF6217TRPBF是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 IRF6217TRPBF常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和电池充电器等电源管理系统中。它具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效降低功率损耗，提高电源转换效率。此外，它还适用于反激式、正激式、降压型（Buck）和升压型（Boost）等多种拓扑结构的电源设计。 2. 电机驱动 该器件也广泛应用于电机驱动电路中，特别是小型直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。由于其高电流承载能力和快速响应速度，IRF6217TRPBF能够在电机启动、加速、减速和制动过程中提供稳定的电流控制，确保电机运行的平稳性和可靠性。 3. 负载切换 在需要频繁切换负载的应用中，如智能家电、工业控制系统和汽车电子设备中，IRF6217TRPBF可以作为负载开关使用。它能够快速响应负载变化，保护系统免受过流、短路等异常情况的影响，同时减少功耗。 4. 逆变器与太阳能系统 IRF6217TRPBF还适用于逆变器和太阳能光伏系统的功率转换部分。它能够有效地将直流电转换为交流电，或者在太阳能电池板与储能电池之间进行高效的能量传输。其低导通电阻有助于减少热损耗，延长系统的使用寿命。 5. 消费电子产品 在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块以及便携式电源设备中，IRF6217TRPBF因其紧凑的封装形式和高性能表现而备受青睐。它可以集成到小型化、高效能的产品设计中，满足现代消费者对便携性和性能的需求。 总之，IRF6217TRPBF凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，在多个领域中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 0.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 700 mA |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6217TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6217TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 欧姆 @ 420mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF6217TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 6 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 150 V |
| 漏极连续电流 | - 0.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6217.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6217.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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