ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF6217TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF6217TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6217TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6217TRPBF价格参考。International RectifierIRF6217TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 700mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF6217TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6217TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF6217TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景非常广泛，尤其适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是该型号的一些主要应用场景： 1. 电源管理 IRF6217TRPBF常用于各种电源管理系统中，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等。由于其低导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中能够减少功率损耗，提高效率。它可以在电池供电设备、汽车电子系统以及工业电源中发挥重要作用。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRF6217TRPBF可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电流和电压波动，适合应用于小型直流电机、步进电机和伺服电机的驱动电路中。 3. 负载开关 该MOSFET可用作负载开关，特别是在需要频繁切换负载的应用中。它能够快速响应并提供低导通电阻，确保电流传输的高效性，同时保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池保护 IRF6217TRPBF可用于电池保护电路中，防止电池过充、过放或短路。它的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命，特别适用于锂电池、镍氢电池等便携式设备的保护电路。 5. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，IRF6217TRPBF可以作为功率开关元件，帮助将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性使其成为逆变器设计中的理想选择。 6. 消费电子产品 该MOSFET广泛应用于各类消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以用作充电电路中的开关元件，或者用于音频放大器、显示屏背光控制等场景。 总之，IRF6217TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种应用场景中表现出色，尤其是在需要高效开关和低功耗的电路设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 0.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 700 mA |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6217TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6217TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 欧姆 @ 420mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF6217TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 6 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 150 V |
| 漏极连续电流 | - 0.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6217.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6217.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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