ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF6215STRRPBF
Datasheet下载- 型号： IRF6215STRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6215STRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6215STRRPBF价格参考。International RectifierIRF6215STRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF6215STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6215STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF6215STRRPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。它具有广泛的工业和消费类应用场景，尤其适用于需要高效开关和功率管理的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 IRF6215STRRPBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少功率损耗，提高转换效率。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中，这款MOSFET可以作为主开关器件，实现高效的电压调节。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如风扇、水泵、电动工具等，IRF6215STRRPBF可以用作驱动电路中的开关元件。它能够快速响应PWM（脉宽调制）信号，精确控制电机的速度和扭矩，同时具备良好的耐热性能，确保长时间稳定工作。 3. 电池管理系统 该MOSFET也广泛应用于电池管理系统（BMS）中，尤其是在锂离子电池组的保护电路中。它可以作为充放电路径的开关，防止过充、过放以及短路等情况的发生，从而延长电池寿命并提高安全性。 4. 汽车电子 在汽车电子领域，IRF6215STRRPBF可用于车载电子设备中的电源控制和负载切换。例如，在车身控制系统、车灯控制模块、电动座椅调节等方面，这款MOSFET能够提供可靠的开关功能，并且具备抗电磁干扰的能力，适应复杂的汽车环境。 5. 智能家居与物联网 随着智能家居和物联网设备的发展，IRF6215STRRPBF也被广泛应用于智能插座、智能照明系统等产品中。它可以在这些设备中实现对电器的远程控制和能耗管理，帮助用户优化能源使用。 总的来说，IRF6215STRRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAKMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 290mOhms 44nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 13 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6215STRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6215STRRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V to - 4 V |
| 上升时间 | 36 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 3.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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