ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF6215STRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF6215STRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6215STRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6215STRLPBF价格参考￥3.23-￥4.63。International RectifierIRF6215STRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF6215STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6215STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF6215STRLPBF是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备和系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 IRF6215STRLPBF常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，能够快速响应电压和电流的变化，确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动 该MOSFET也适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机等。它可以承受较大的电流波动，并且能够在高频下高效工作，适合需要精确控制的场合。例如，在无人机、电动工具、家用电器等领域，IRF6215STRLPBF可以提供稳定的电流输出，确保电机平稳运行。 3. 信号切换 在通信设备和工业控制系统中，IRF6215STRLPBF可以用作信号切换元件。它能够快速切换高低电平信号，适用于数字信号处理、数据传输等场景。由于其低栅极电荷和快速开关特性，可以在高频环境下保持良好的性能。 4. 负载开关 在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑等，IRF6215STRLPBF可以用作负载开关。它能够根据需要切断或接通电源，延长电池寿命并保护电路免受过载或短路的影响。此外，其低导通电阻有助于减少发热，提升设备的整体能效。 5. 保护电路 该MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流变化，MOSFET可以在异常情况下迅速断开电路，防止损坏其他元件。这种特性使其成为许多安全关键型应用的理想选择。 总之，IRF6215STRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换、负载开关和保护电路等多个领域，为各种电子设备提供了高效、可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAKMOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 13 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6215STRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6215STRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF6215STRLPBFCT |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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