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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF5810TRPBF |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | IRF5810TRPBFDKR |
功率-最大值 | 960mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5810.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5810.spi |