ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF5805TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRF5805TRPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF5805TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5805TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5805TRPBF价格参考。International RectifierIRF5805TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）。您可以下载IRF5805TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5805TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOPMOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

逻辑电平门
FET类型

MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.8 A
Id-连续漏极电流

- 3.8 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5805TRPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRF5805TRPBF
Pd-PowerDissipation

2 W
Pd-功率耗散

2 W
Qg-GateCharge

11 nC
Qg-栅极电荷

11 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

165 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

165 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V
Vds-漏源极击穿电压

- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V
Vgs-栅源极击穿电压

20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

511pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

98 毫欧 @ 3.8A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

Micro6™（TSOP-6）
其它名称

IRF5805TRPBFCT
功率-最大值

2W
包装

剪切带 （CT）
商标

International Rectifier
安装类型

表面贴装
安装风格

SMD/SMT
封装

Reel
封装/外壳

6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
封装/箱体

TSOP-6
工厂包装数量

3000
晶体管极性

P-Channel
标准包装

1
漏源极电压(Vdss)

30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

3.8A （Ta）
设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5805.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5805.spi
推荐商品

型号：AON6413

品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：PMN34LN,135

品牌：NXP USA Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFB18N50K

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FCPF11N60F

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRF3707ZCLPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFS31N20DTRRP

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SIR172DP-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FQPF9N25CT

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRF5805TRPBF 相关产品

SI7114DN-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

IRF7402TR

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRFI540NPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：￥4.49-￥14.82

联系销售

IXTR170P10P

品牌：IXYS

价格：￥127.00-￥152.40

联系销售

BUZ31L E3044A

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

TK32A12N1,S4X

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

价格：￥4.44-￥10.72

联系销售

IRLML6402TR

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

NTD25P03LRLG

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
ZXMN0545G4TA
AO3404A
IRFR9110TRR
SIHP12N65E-GE3
TK4P55DA(T6RSS-Q)
IRF520NS
FDS6690AS
SUD09P10-195-GE3
SSM3J325F,LF
STP4NK80Z
IXTY1R4N60P
FQPF12N60T
IRFH8318TRPBF
AO4714
IXFK27N80Q
BUK9Y107-80EX
FCA22N60N
FDPF15N65YDTU
DMG3413L-7
SPP15P10PLHXKSA1
FQA47P06
IRFI640G
IPI029N06NAKSA1
NTMFS4833NAT1G
SIR662DP-T1-GE3
AUIRF1324
DMN6040SFDE-7
FDD86326
IRFS52N15DPBF
IRF9Z24NLPBF
PSMN041-80YLX
FQT13N06TF
IRF1312PBF
IRFP3415PBF
TK50P04M1(T6RSS-Q)
NTTFS4824NTWG
IRFS7537PBF
NDS331N_D87Z
IRF7490PBF
BUK9604-40A,118
IXTY24N15T
IRLML0100TRPBF
NTB75N06LT4
PH2625L,115
STD3NK60Z-1
FDD8444L
IXFN21N100Q
IXFX21N100Q
IRLML2402TR
BUK7Y08-40B/C,115
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD -95340A IRF5805PbF HEXFET® Power MOSFET (cid:1) Ultra Low On-Resistance (cid:1) P-Channel MOSFET V R max I DSS DS(on) D (cid:1) Surface Mount -30V 0.098@VGS = -10V -3.8A (cid:1) Available in Tape & Reel 0.165@VGS = -4.5V -3.0A (cid:1) Low Gate Charge (cid:1) Lead-Free (cid:1) Halogen-Free Description A These P-channel MOSFETs from International Rectifier D 1 6 D utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This D 2 5 D benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. G 3 4 S The TSOP-6 package with its customized leadframe Top View TSOP-6 produces a HEXFET(cid:1) power MOSFET with R DS(on) 60% less than a similar size SOT-23. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and R DS(on) reduction enables a current-handling increase of nearly 300% compared to the SOT-23. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-Source Voltage -30 V DS ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -3.8 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -3.0 A IDM Pulsed Drain Current(cid:1) -15 PD @TA = 25°C Maximum Power Dissipation(cid:2) 2 W PD @TA = 70°C Maximum Power Dissipation(cid:2) 1.28 W Linear Derating Factor 0.02 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V T , T Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C J STG Thermal Resistance Parameter Max. Units RθJA Maximum Junction-to-Ambient(cid:2) 62.5 °C/W www.irf.com 1 04/20/10

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage -30 ––– ––– V VGS = 0V, ID = -250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.02 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance –(cid:2)–(cid:2)–(cid:2) –––––– 00..019658 Ω VVGGSS == --41.05VV,, IIDD == --33..80AA(cid:1) (cid:3)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage -1.0 ––– -2.5 V VDS = VGS, ID = -250µA gfs Forward Transconductance 3.5 ––– ––– S VDS = -10V, ID = -3.8A I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -15 (cid:5)(cid:3) VDS = -24V, VGS = 0V DSS ––– ––– -25 VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 70°C (cid:4) Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– -100 (cid:6)(cid:3) VGS = -20V (cid:2)(cid:3)(cid:3) Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– 100 VGS = 20V Qg Total Gate Charge ––– 11 17 ID = -3.8A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 2.3 ––– nC VDS = -15V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 1.5 ––– VGS = -10V td(on) Turn-On Delay Time ––– 11 17 VDD = -15V, VGS = -10V tr Rise Time ––– 14 21 (cid:6)(cid:7) ID = -1.0A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 90 135 RG = 6.0Ω tf Fall Time ––– 49 74 RD = 15Ω(cid:1)(cid:3) Ciss Input Capacitance ––– 511 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 79 ––– pF VDS = -25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 50 ––– ƒ = 1.0MHz Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:2)(cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2) -2.0 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:3) ISM Pulsed Source Current (cid:2)(cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2) -15 integral reverse G (Body Diode) (cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– -1.2 V TJ = 25°C, IS = -2.0A, VGS = 0V(cid:1)(cid:3) trr Reverse Recovery Time ––– 19 29 ns TJ = 25°C, IF = -2.0A Qrr Reverse Recovery Charge ––– 16 24 nC di/dt = -100A/µs(cid:1)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2)(cid:1)(cid:1)Surface mounted on 1 in square Cu board, t(cid:1)≤ 10sec. max. junction temperature. (cid:3)Pulse width(cid:1)≤ 400µs(cid:8)(cid:1)duty cycle ≤ 2%(cid:9) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 100 100 V GS V GS TOP -10.0V TOP -10.0V -4.5V -4.5V A) -3.7V A) -3.7V en(t 10 --33..53VV en(t 10 --33..53VV Curr --32..07VV Curr --32..07VV e BOTTOM -2.5V e BOTTOM -2.5V oucr 1 oucr 1 S S no--t no--t -2.5V ai ai Dr, D 0.1 -2.5V Dr, D 0.1 -I -I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH Tj = 150°C Tj = 25°C 0.01 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -VDS , Drain-to-Source Voltage (V) -VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 ce 2.0 ID=-3.8A A) an nt ( sist e e r R 1.5 ur n C 10 O e e d) Sourc TJ = 150 ° C Sourcmalize 1.0 n-to- n-to-Nor ai 1 ai( Dr TJ = 25 ° C Dr -I , D V20 D µ Ss =P -U1L5SVE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=-10V 0.1 0.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 -VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( ° C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 800 VGS = 0V, f = 1 MHZ 16 ID=-3.8A Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED V) VVDS==--1254VV Crss = Cgd e ( DS g 600 Coss = Cds + Cgd a 12 Fp) Ciss Volt e( e c c n r a u cti 400 So 8 a p o- Ca -t C , ate G 200 Coss V , GS 4 Crss - 0 0 1 10 100 0 2 4 6 8 10 12 14 Q , Total Gate Charge (nC) V , Drain-to-Source Voltage (V) G DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 100 OPERATION IN THIS AREA LIMITED A) BY RDS(on) ( nt re A)A) Cur 10 nt (nt ( 10 10us ain TJ = 150 ° C urreurre Dr CC 100us se ain ain er DrDr -I , RevSD 1 TJ = 25 ° C -I , I , D 1 TC= 25 ° C 11m0mss TJ= 150 °C V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0.1 1 10 100 -VS D ,Source-to-Drain Voltage (V) -VD S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 4.0 (cid:11) (cid:4) (cid:10) (cid:4)(cid:3) (cid:10) (cid:2)(cid:3) (cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:9) A) 3.0 (cid:11)(cid:2) nt ( +- (cid:10)(cid:4)(cid:4) e r Cur (cid:10)(cid:2)(cid:3) n 2.0 (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:1)≤ 1 (cid:15)(cid:8) ai (cid:4)(cid:6)(cid:13)(cid:16)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:1)≤ 0.1 % Dr -I , D1.0 Fig 10a. Switching Time Test Circuit td(on) tr td(off) tf VGS 0.0 10% 25 50 75 100 125 150 T , Case Temperature ( ° C) C 90% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VDS Case Temperature Fig 10b. Switching Time Waveforms 100 ) D = 0.50 Z thJA 0.20 ( 10 se 0.10 n po 0.05 s e R 0.02 al 0.01 PDM m 1 er (THESRINMGALLE R PEUSLPSOENSE) t1 h t2 T Notes: 1. Duty factor D =t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJA+ TA 0.1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) )ec( Ω00..455000 ) e( Ω 0.400 n c Reassti 0.400 Resansit 0.300 On 0.350 On ouecr 0.300 ouecr 0.200 VGS = -4.5V S 0.250 S Dnoa-r- t,in)00..125000 ID = -3.8A Danor, -t-in) 0.100 VGS = -10V o o DS(0.100 S ( R D 0.050 R 0.000 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 0 5 10 15 20 -VGS, Gate -to -Source Voltage (V) -ID , Drain Current ( A ) Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage Drain Current Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ QG 12V .2µF .3µF - QGS QGD D.U.T. +VDS VGS VG -3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform Fig 14b. Gate Charge Test Circuit 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 30 2.5 25 2.3 20 V() Sh()t 2.1 ID = -250µA Wweor() 15 G P V 1.9 - 10 1.7 5 0 1.5 0.001 0.010 0.100 1.000 10.000 100.000 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Time (sec) TJ , Temperature ( °C ) Fig 15. Typical Vgs(th) Vs. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:1)(cid:1)Typical Power Vs. Time Junction Temperature www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:11) (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:18)(cid:14)(cid:12)(cid:19)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:12)(cid:20)(cid:17)(cid:21)(cid:22)(cid:18)(cid:23)(cid:7)(cid:14)(cid:16)(cid:22)(cid:17) (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:8)(cid:19)(cid:6)(cid:3)(cid:6)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:10)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:17)(cid:25)(cid:17)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:18)(cid:10)(cid:3)(cid:23)(cid:22)(cid:6)(cid:26)(cid:5)(cid:23)(cid:19)(cid:10)(cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:9)(cid:4)(cid:19)(cid:29) (cid:5)(cid:23)(cid:7)(cid:6)(cid:10)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:21) (cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:29) (cid:9) (cid:21)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:13) (cid:13) (cid:2)(cid:13) (cid:23) (cid:8)(cid:23)(cid:19)(cid:7)(cid:10)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:20)(cid:6)(cid:19) (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:29) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:1) (cid:1) (cid:2)(cid:1) (cid:20) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:30) (cid:30) (cid:2)(cid:30) (cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:2) (cid:2) (cid:5) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:31) (cid:31) (cid:22)(cid:4)(cid:7) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15) (cid:15) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:0) (cid:0) (cid:3)(cid:27)(cid:14)(cid:9)(cid:17)(cid:19)(cid:6)(cid:10)(cid:17)(cid:26)(cid:5)(cid:17)(cid:3)(cid:23)(cid:7)(cid:4)(cid:19) (cid:7)(cid:4)(cid:8) (cid:1)(cid:2)(cid:2)" " (cid:1)(cid:2)(cid:2)) ) (cid:1)(cid:2)(cid:13)(cid:2) (cid:2) (cid:1) * (cid:8)(cid:23)(cid:19)(cid:7)(cid:10)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:20)(cid:6)(cid:19)(cid:10)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:19)(cid:6)(cid:18)(cid:6)(cid:19)(cid:6)(cid:26)(cid:3)(cid:6)! (cid:1)(cid:31) (cid:21) (cid:1)(cid:15) + (cid:23)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:24)(cid:17)(cid:30) (cid:30)(cid:5)# (cid:29)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:13)(cid:2) (cid:20)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:2) (cid:22)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2) (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:1)(cid:0)(cid:14)(cid:31)(cid:1)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:8)(cid:19)(cid:6)(cid:3)(cid:6)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:10)(cid:23)(cid:10)(cid:22)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:6)(cid:19) (cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:31)(cid:2) (cid:28)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:30) (cid:9)(cid:4)(cid:19)(cid:29) (cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:31)(cid:13) (cid:26)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:1) (cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:21) (cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:29) (cid:9) (cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:31)(cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:13) (cid:23) (cid:1)(cid:0) (cid:23) (cid:18)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:13) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:1) (cid:20) (cid:1)" (cid:20) (cid:17)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:31) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:30) (cid:3) (cid:1)) (cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:2) (cid:5) (cid:30)(cid:2) (cid:5) $(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:15) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:31) (cid:6) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15) (cid:18) (cid:26)%&’(!(cid:10) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:0) (cid:25) (cid:14)(cid:23)(cid:10)-./’(cid:10)01%2’(cid:10)&3’(cid:10)4%56(cid:10)4’’6(cid:10)(cid:12)0((cid:10)(3%4/(cid:10)3’5’(cid:16)(cid:10)./7.80&’((cid:10)(cid:22)’07(cid:14)(cid:18)5’’ (cid:1)(cid:2)(cid:2)" , (cid:14)(cid:23)(cid:10)-./’(cid:10)1’-%4(cid:10)&3’(cid:10)905&(cid:10)/:;1’5(cid:10)(cid:12)0((cid:10)(3%4/(cid:10)3’5’(cid:16)(cid:10)./7.80&’((cid:10)(cid:3):(cid:14)4.5’ (cid:1)(cid:2)(cid:2)) $ (cid:1)(cid:2)(cid:13)(cid:2) (cid:29) (cid:31)(cid:2) * (cid:31)(cid:13) (cid:21) (cid:31)(cid:1) + Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:1)(cid:7)(cid:24)(cid:11)(cid:12)(cid:25)(cid:12)(cid:26)(cid:11)(cid:11)(cid:15)(cid:12)(cid:20)(cid:17)(cid:21)(cid:22)(cid:18)(cid:23)(cid:7)(cid:14)(cid:16)(cid:22)(cid:17) (cid:1) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualifications Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.04/2010 www.irf.com 9

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF5805TRPBF