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  • 型号: IRF5803D2TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF5803D2TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5803D2TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5803D2TRPBF价格参考。International RectifierIRF5803D2TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 40V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF5803D2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF5803D2TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.4 A

Id-连续漏极电流

- 3.4 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5803D2TRPBFFETKY™

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产品型号

IRF5803D2TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

25 nC

Qg-栅极电荷

25 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

190 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

190 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vds-漏源极击穿电压

- 40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1110pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

37nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

112 毫欧 @ 3.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF5803D2TRPBFCT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5803d2.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5803d2.spi

配置

Single with Schottky Diode

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