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  • 型号: IRF5802TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRF5802TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5802TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5802TRPBF价格参考。International RectifierIRF5802TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 900mA(Ta) 2W(Ta) Micro6™(TSOP-6)。您可以下载IRF5802TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF5802TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

Ciss-输入电容

88 pF

描述

MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOPMOSFET MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

900 mA

Id-连续漏极电流

900 mA

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5802TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF5802TRPBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

4.5 nC

Qg-栅极电荷

4.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5.5 V

上升时间

1.6 ns

下降时间

9.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

88pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 540mA,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Micro6™(TSOP-6)

其它名称

IRF5802TRPBF-ND
IRF5802TRPBFTR

典型关闭延迟时间

7.5 ns

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

0.55 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

900mA (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5802.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5802.spi

配置

Single

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