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IRF5802TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5802TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5802TRPBF价格参考。International RectifierIRF5802TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 900mA(Ta) 2W(Ta) Micro6™(TSOP-6)。您可以下载IRF5802TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF5802TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
Ciss-输入电容 | 88 pF |
描述 | MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOPMOSFET MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 900 mA |
Id-连续漏极电流 | 900 mA |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5802TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF5802TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 4.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
上升时间 | 1.6 ns |
下降时间 | 9.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 88pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 540mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Micro6™(TSOP-6) |
其它名称 | IRF5802TRPBF-ND |
典型关闭延迟时间 | 7.5 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 0.55 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 900mA (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5802.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5802.spi |
配置 | Single |