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IRF530SPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF530SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF530SPBF价格参考¥5.54-¥5.99。VishayIRF530SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263(D²Pak)。您可以下载IRF530SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF530SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF530SPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有广泛的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRF530SPBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。它可以在高频条件下高效地进行开关操作,帮助实现高效的电压转换和电流调节。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高系统的整体效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,IRF530SPBF可以作为功率开关,控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且具备快速的开关速度,适合应用于小型直流电机、步进电机和伺服电机等场合。 3. 音频放大器 该MOSFET也可用于音频放大器中的功率输出级。它的线性特性较好,能够在不失真的情况下提供稳定的电流输出,适用于音响设备、耳机放大器等音频处理电路。 4. 负载切换 IRF530SPBF可用于负载切换电路中,如电池管理系统中的负载开关。它可以快速响应负载变化,确保电路的安全性和稳定性,同时减少能量损失。 5. 逆变器 在逆变器应用中,IRF530SPBF可以作为功率开关元件,将直流电转换为交流电。它能够承受较高的电压和电流,适应逆变器的工作环境,广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等领域。 6. 保护电路 该MOSFET还适用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流大小并迅速切断电路,IRF530SPBF可以帮助保护系统免受损坏,提升系统的可靠性和安全性。 7. 脉宽调制(PWM)控制器 在PWM控制电路中,IRF530SPBF可以用作开关元件,调节输出电压或电流的占空比。它能够快速响应PWM信号,确保输出的稳定性和精度,适用于LED驱动、风扇控制等场合。 总的来说,IRF530SPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种电力电子设备和控制系统中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAKMOSFET N-Chan 100V 14 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF530SPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF530SPBFIRF530SPBF |
Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
Pd-功率耗散 | 3.7 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 34 ns |
下降时间 | 24 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 8.4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | IRF530SPBFCT |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
功率-最大值 | 3.7W |
功率耗散 | 3.7 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 160 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 14 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |