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  • 型号: IRF530SPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF530SPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF530SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF530SPBF价格参考¥5.54-¥5.99。VishayIRF530SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263(D²Pak)。您可以下载IRF530SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF530SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF530SPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有广泛的应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
IRF530SPBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。它可以在高频条件下高效地进行开关操作,帮助实现高效的电压转换和电流调节。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高系统的整体效率。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中,IRF530SPBF可以作为功率开关,控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且具备快速的开关速度,适合应用于小型直流电机、步进电机和伺服电机等场合。

 3. 音频放大器
该MOSFET也可用于音频放大器中的功率输出级。它的线性特性较好,能够在不失真的情况下提供稳定的电流输出,适用于音响设备、耳机放大器等音频处理电路。

 4. 负载切换
IRF530SPBF可用于负载切换电路中,如电池管理系统中的负载开关。它可以快速响应负载变化,确保电路的安全性和稳定性,同时减少能量损失。

 5. 逆变器
在逆变器应用中,IRF530SPBF可以作为功率开关元件,将直流电转换为交流电。它能够承受较高的电压和电流,适应逆变器的工作环境,广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等领域。

 6. 保护电路
该MOSFET还适用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流大小并迅速切断电路,IRF530SPBF可以帮助保护系统免受损坏,提升系统的可靠性和安全性。

 7. 脉宽调制(PWM)控制器
在PWM控制电路中,IRF530SPBF可以用作开关元件,调节输出电压或电流的占空比。它能够快速响应PWM信号,确保输出的稳定性和精度,适用于LED驱动、风扇控制等场合。

总的来说,IRF530SPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种电力电子设备和控制系统中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAKMOSFET N-Chan 100V 14 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF530SPBF-

数据手册

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产品型号

IRF530SPBFIRF530SPBF

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

34 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

670pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 8.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

IRF530SPBFCT
IRF530SPBFCT-ND

典型关闭延迟时间

23 ns

功率-最大值

3.7W

功率耗散

3.7 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

导通电阻

160 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

14 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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