PD - 95100 IRF530NSPbF IRF530NLPbF HEXFETfi Power MOSFET (cid:1) Advanced Process Technology D (cid:1) Ultra Low On-Resistance VDSS = 100V (cid:1) Dynamic dv/dt Rating (cid:1) 175(cid:176)C Operating Temperature R = 90mΩ DS(on) (cid:1) Fast Switching G (cid:1) Fully Avalanche Rated I = 17A D (cid:1) Lead-Free S Description Advanced HEXFETfi Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on- resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the D2Pak TO-262 lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal IRF530NSPbF IRF530NLPbF connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF530NL) is available for low-profile applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V (cid:1) 17 D C GS I @ T = 100(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V (cid:1) 12 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:2)(cid:1) 60 DM P @T = 25(cid:176)C Power Dissipation 3.8 W D A P @T = 25(cid:176)C Power Dissipation 70 W D C Linear Derating Factor 0.47 W/(cid:176)C V Gate-to-Source Voltage – 20 V GS I Avalanche Current(cid:2) 9.0 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:2) 7.0 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3)(cid:1) 7.4 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J T Storage Temperature Range (cid:176)C STG Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:150)(cid:150)(cid:150) 2.15 (cid:176)C/W RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady-state)** (cid:150)(cid:150)(cid:150) 40 www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:3)(cid:1)(cid:5)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25(cid:176)C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) V VGS = 0V, ID = 250(cid:181)A ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.11 (cid:150)(cid:150)(cid:150) V/(cid:176)C Reference to 25(cid:176)C, ID = 1mA (cid:1) RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 90 mΩ VGS = 10V, ID = 9.0A(cid:2)(cid:4) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 (cid:150)(cid:150)(cid:150) 4.0 V VDS = VGS, ID = 250(cid:181)A gfs Forward Transconductance 12 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) S VDS = 50V, ID = 9.0A(cid:4)(cid:1) IDSS Drain-to-Source Leakage Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 25 (cid:181)A VDS = 100V, VGS = 0V (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 250 VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 150(cid:176)C I Gate-to-Source Forward Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 100 nA VGS = 20V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) -100 VGS = -20V Qg Total Gate Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 37 ID = 9.0A Qgs Gate-to-Source Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 7.2 nC VDS = 80V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 11 VGS = 10V, See Fig. 6 and 13(cid:2)(cid:1) td(on) Turn-On Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 9.2 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDD = 50V tr Rise Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 22 (cid:150)(cid:150)(cid:150) ns ID = 9.0A td(off) Turn-Off Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 35 (cid:150)(cid:150)(cid:150) RG = 12Ω tf Fall Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 25 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 10V, See Fig. 10 (cid:4)(cid:1) L Internal Drain Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:5)(cid:10)(cid:11) (cid:150)(cid:150)(cid:150) Between lead, D D 6mm (0.25in.) nH from package G L Internal Source Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:12)(cid:10)(cid:11) (cid:150)(cid:150)(cid:150) S and center of die contact S Ciss Input Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 920 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 0V Coss Output Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 130 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 19 (cid:150)(cid:150)(cid:150) pF (cid:131) = 1.0MHz, See Fig. 5 (cid:1) E Single Pulse Avalanche Energy(cid:5)(cid:1) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 340(cid:3) 93(cid:4) mJ I = 9.0A, L = 2.3mH AS AS Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 17 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:6) ISM P(Buolsdeyd D Siooduerc)(cid:2)e Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 60 pin-tne gjuranlc trieovne drsioede. G S VSD Diode Forward Voltage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1.3 V TJ = 25(cid:176)C, IS = 9.0A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 93 140 ns TJ = 25(cid:176)C, IF = 9.0A Qrr Reverse Recovery Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) 320 480 nC di/dt = 100A/(cid:181)s (cid:4)(cid:1) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:2)(cid:7)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:6) This is a typical value at device destruction and represents max. junction temperature. (See fig. 11) operation outside rated limits. (cid:5) Starting TJ = 25(cid:176)C, L = 2.3mH (cid:7) This is a calculated value limited to TJ = 175(cid:176)C . RG = 25Ω, IAS = 9.0A, VGS=10V (See Figure 12) (cid:1)Uses IRF530N data and test conditions. (cid:3)ISD ≤(cid:7)9.0A(cid:8)(cid:7)di/d(cid:9)(cid:7)≤(cid:7)410A/(cid:181)s, VDD(cid:1)≤(cid:7)V(BR)DSS, **When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For TJ ≤ 175(cid:176)C recommended footprint and soldering techniques refer to (cid:4) Pulse width ≤ 400(cid:181)s; duty cycle ≤ 2%. application note #AN-994 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 100 100 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 87..00VV A) 87..00VV nt ( 65..05VV nt ( 65..05VV e 5.0V e 5.0V urr BOTTOM4.5V urr BOTTOM4.5V C C e e c c 4.5V our 10 4.5V our 10 S S o- o- n-t n-t ai ai Dr Dr I , D I , D 20(cid:181)s PULSE WIDTH 20(cid:181)s PULSE WIDTH TJ = 25(cid:176)C TJ = 175(cid:176)C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 3.5 ID=15A e c n A) a 3.0 ent ( TJ = 25 (cid:176) C esist urr n R 2.5 Source C TJ = 175 (cid:176) C Source Omalized) 2.0 n-to- n-to-(Nor 1.5 ai ai Dr Dr 1.0 I , D V20 D (cid:181) Ss =P U50LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 10 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( (cid:176) C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 1600 20 VGS=0V, f = 1MHz ID=9.0A 1200 CCCirossssss===CCCggdsds ++ CCggdd , Cd s SHORTED ge (V) 16 VVVDDDSSS=== 258000VVV pF) Ciss olta ce ( e V 12 n c acita 800 Sour Cap Coss e-to- 8 C, at G 400 Crss V , GS 4 FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 1 3 0 0 1 10 100 0 10 20 30 40 V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Q G , Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) A) DS ent ( TJ = 175 (cid:176) C An()t 100 Curr 10 uerr ain Cec e Dr Sour 10 100(cid:181)sec I , ReversSD 1 TJ = 25 (cid:176) C Dnoa-r-t I,iD 1 TTcj = = 1 2755(cid:176)(cid:176)CC 11m0msescec V G S = 0 V 0.1 Single Pulse 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1 10 100 1000 V ,Source-to-Drain Voltage (V) SD VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 20 (cid:14) (cid:2) (cid:13) (cid:2)(cid:3) (cid:13) (cid:21)(cid:3) 16 (cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:10) nt (A) (cid:14)(cid:21) +-(cid:13)(cid:2)(cid:2) e 12 urr (cid:13)(cid:21)(cid:3) C ain (cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:16)(cid:1)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:12)(cid:11)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:13)(cid:1)(cid:1)≤≤ 01. 1(cid:14) %(cid:7) Dr 8 I , D (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 4 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( (cid:176) C) C 10% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VGS Case Temperature td(on) tr td(off) tf (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) 10 ) Z thJC D = 0.50 ( 1 e ns 0.20 o sp 0.10 e mal R 0.1 000...000125 (THESRINMGALLE R PEUSLPSOENSE) PDM t1 er h t2 T Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 200 15V J) ID m TOP 3.7A ( y 6.4A g VDS L DRIVER ner 160 BOTTOM 9.0A E e h RG D.U.T + nc 120 - VDD a IAS A al 2V0GVS Av tp 0.01Ω e 80 s (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) Pul e gl n 40 tp V(BR)DSS E , SiAS 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( (cid:176) C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:30)(cid:18)(cid:31)(cid:4)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:1) (cid:19)(cid:18)(cid:26)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:12)(cid:1)!(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:9)" (cid:22)(cid:13)#(cid:1)$(cid:15)(cid:18)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:12)(cid:8)(cid:5) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF (cid:22) + (cid:1)(cid:2) D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:24)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + $"(cid:23)(cid:20)(cid:29)"(cid:9)(cid:7)%(cid:31)(cid:27)(cid:21)(cid:29)(cid:9)(cid:7)$(cid:21)(cid:22)#"(cid:18)(cid:25)(cid:23)(cid:31)(cid:9)"(cid:21)(cid:22)# (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)% • (cid:7)%(cid:21)&(cid:7)’(cid:9)(cid:23)(cid:31)(cid:27)(cid:7)(cid:28)(cid:22)(cid:18)(cid:29)(cid:20)(cid:9)(cid:31)(cid:22)(cid:20)(cid:25) (cid:3) (cid:7)(cid:7) • ((cid:23)(cid:21)(cid:29)(cid:22)(cid:18)(cid:7))(cid:24)(cid:31)(cid:22)(cid:25) (cid:7)(cid:7) • %(cid:21)&(cid:7)%(cid:25)(cid:31)*(cid:31)+(cid:25)(cid:7)(cid:28)(cid:22)(cid:18)(cid:29)(cid:20)(cid:9)(cid:31)(cid:22)(cid:20)(cid:25) (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)$(cid:29)(cid:23)(cid:23)(cid:25)(cid:22)(cid:9)(cid:7)(cid:17)(cid:23)(cid:31)(cid:22)#,(cid:21)(cid:23)-(cid:25)(cid:23) - + (cid:5) (cid:4) - + - (cid:2) (cid:14)(cid:21) • (cid:18)(cid:19)(cid:3)(cid:18)(cid:9)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:9)(cid:23)(cid:21)(cid:24)(cid:24)(cid:25)(cid:18)(cid:7)(cid:26)(cid:27)(cid:7)(cid:14)(cid:21) + (cid:13) •• (cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:10)(cid:2)(cid:16)(cid:7)(cid:20)(cid:10)(cid:17)(cid:21)(cid:10)(cid:22)(cid:7)(cid:9)!(cid:23)(cid:7)(cid:21)(cid:15)(cid:24)(cid:24)(cid:25)(cid:25)(cid:19)(cid:18)"(cid:20)(cid:7)(cid:26)(cid:25)(cid:27)(cid:7)(cid:16)(cid:7)(cid:15)(cid:22)(cid:29)(cid:18)(cid:9)(cid:25)(cid:27)(cid:23)(cid:7)(cid:7)(cid:30)(cid:17)(cid:31)(cid:25)(cid:20)#(cid:9)(cid:9)(cid:21)(cid:23)(cid:7) (cid:15) - (cid:13)(cid:2)(cid:2) (cid:21)(cid:3) %(cid:7)(cid:7)(cid:14)(cid:25)(cid:19)(cid:25)(cid:23)#(cid:25)(cid:7))(cid:21)(cid:24)(cid:31)(cid:23)"(cid:9)(cid:27)(cid:7)(cid:21),(cid:7)(cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:7),(cid:21)(cid:23)(cid:7))!$.(cid:31)(cid:22)(cid:22)(cid:25)(cid:24) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4) V =10V GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt (cid:1)(cid:2)V(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3) DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent &(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)’ I Ripple ≤ 5% SD %%%(cid:7)(cid:13) (cid:7)/(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:1)(cid:13)(cid:7),(cid:21)(cid:23)(cid:7)%(cid:21)+"(cid:20)(cid:7)%(cid:25)(cid:19)(cid:25)(cid:24)(cid:7)(cid:31)(cid:22)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:13)(cid:7)(cid:15)(cid:23)"(cid:19)(cid:25)(cid:7)(cid:15)(cid:25)(cid:19)"(cid:20)(cid:25)# (cid:21)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:13)(cid:8)(cid:4)For N-channel(cid:1)HEXFETfi power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:23)(cid:4)(cid:3)(cid:11)(cid:18)(cid:5)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:26)(cid:9)(cid:10)(cid:18) Dimensions are shown in millimeters (inches) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:6)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:10)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:18)(cid:18)(cid:22) THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE Note: "P" in assembly line YEAR 0 = 2000 position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY LOT CODE WEEK 02 LINE L (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 0 = 2000 WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) TO-262 Package Outline (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)IGBT 1- GATE 2- COLLECTOR 3- EMITTER TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 19, 1997 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO Note: "P" in assembly line DATE CODE position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY YEAR 7 = 1997 LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) D2Pak Tape & Reel Infomation Dimensions are shown in millimeters (inches) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 43..1900 ((..116513)) 11..6500 ((..006539)) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 15.42 (.609) 24.30 (.957) 15.22 (.601) 23.90 (.941) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 34.. DINICMLEUNDSEIOSN F MLAENAGSEU RDEISDT O@R HTUIOBN. @ OUTER EDGE. 3 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR(cid:146)s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.03/04 10 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF530NSPBF IRF530NSTRRPBF IRF530NSTRLPBF