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Datasheet下载- 型号： IRF530N,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF530N,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF530N,127价格参考。NXP SemiconductorsIRF530N,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF530N,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF530N,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.（原飞兆半导体Fairchild Semiconductor，后被NXP收购）生产的IRF530N是一款经典的N沟道增强型MOSFET晶体管。其主要应用场景包括以下几类： 1. 开关电源和DC-DC转换器 - IRF530N常用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，作为功率开关器件。它能够高效地控制电流的通断，适用于降压、升压或反激式拓扑结构。 - 其耐压值为100V，连续漏极电流可达2.7A（在特定条件下），适合中小功率应用。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，IRF530N可用作功率开关，实现对电机速度和方向的控制。 - 它支持PWM（脉宽调制）信号输入，通过调节占空比来控制电机转速。 3. 音频功率放大器 - IRF530N可用于D类音频功率放大器的设计中，作为输出级开关器件。其低导通电阻（Rds(on)典型值为0.16Ω）有助于减少功耗和失真。 4. 负载开关 - 在需要动态控制负载电流的应用中，例如LED驱动、电池管理或继电器控制，IRF530N可以用作高效的电子开关。 - 它的快速开关特性和低导通损耗使其非常适合此类应用。 5. 逆变器和太阳能微逆变器 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，IRF530N可以用于将直流电转换为交流电，实现能量的有效传输。 6. 保护电路 - IRF530N可用于过流保护、短路保护等电路中，通过检测异常电流并快速切断电路，保护系统免受损害。 注意事项： - 工作温度范围为-55°C至+150°C，适合大多数工业和消费类应用。 - 使用时需注意散热设计，尤其是在高电流或高频开关场景下，可能需要加装散热片或使用强制风冷。 总之，IRF530N凭借其可靠的性能和经济性，在中小功率电子设备中得到了广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF530N,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-1159-5 |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
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