ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF5305SPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF5305SPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5305SPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5305SPBF价格参考。International RectifierIRF5305SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF5305SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5305SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF5305SPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效、快速开关特性的电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds），适用于多种电源管理和功率转换应用。 主要应用场景： 1. 电源管理： - IRF5305SPBF广泛应用于直流-直流（DC-DC）转换器中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高转换效率。 - 在电池管理系统中，该MOSFET可用于控制充电和放电路径，确保电池的安全和稳定运行。 2. 电机驱动： - 该器件适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动电路。它能够承受较高的电流和电压，同时提供快速的开关速度，从而实现高效的电机控制。 - 在电动工具、家用电器等产品中，IRF5305SPBF可以用于驱动电机，确保设备的可靠性和性能。 3. 开关电源（SMPS）： - 在开关模式电源中，IRF5305SPBF可以用作主开关管或辅助开关管。其高击穿电压和低导通电阻使其适合处理高电压和大电流的应用场景，如计算机电源、工业电源等。 - 它还可以用于反激式、正激式等不同拓扑结构的开关电源设计中，提供稳定的输出电压和电流。 4. 负载开关： - 在便携式电子设备中，IRF5305SPBF可用作负载开关，控制电源的通断。它的低导通电阻有助于减少发热，延长设备的使用寿命。 - 在USB充电器、移动电源等产品中，该MOSFET可以用于保护电路，防止过流、过压等问题。 5. LED驱动： - 在LED照明系统中，IRF5305SPBF可用于恒流源电路，确保LED灯的亮度稳定。它能够承受较大的电流波动，保证LED的长寿命和高效工作。 6. 通信设备： - 在基站、路由器等通信设备中，IRF5305SPBF可用于电源模块和信号处理电路，提供可靠的电力支持和信号传输。 总之，IRF5305SPBF凭借其优异的电气特性，广泛应用于各种需要高效、可靠功率控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 31 A |
| Id-连续漏极电流 | - 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5305SPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5305SPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF5305SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf5305s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf5305s.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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