ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF5305PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF5305PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5305PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5305PBF价格参考￥3.01-￥3.01。International RectifierIRF5305PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF5305PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5305PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF5305PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：IRF5305PBF因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电机驱动电路中，IRF5305PBF可以作为功率级的一部分，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的高电流承载能力和快速响应速度使其能够应对电机启动时的大电流冲击，并保持稳定的运行状态。 3. 电池管理系统（BMS）：在电池管理系统中，IRF5305PBF可以用作充放电控制开关。通过精确控制电池的充放电过程，确保电池的安全性和延长使用寿命。此外，它还可以用于过流保护和短路保护，防止电池过热或损坏。 4. 逆变器和变频器：IRF5305PBF在逆变器和变频器中也有广泛应用。它可以用于将直流电转换为交流电，或者调节交流电的频率和电压。其高效的开关特性和良好的热稳定性，使得它能够在这些应用中表现出色。 5. 负载切换和保护电路：在需要频繁切换负载的应用中，IRF5305PBF可以作为负载切换开关，快速响应负载的变化。同时，它还可以用于过流保护、过压保护等电路中，确保系统的安全运行。 6. 汽车电子：在汽车电子系统中，IRF5305PBF可用于车灯控制、电动窗、座椅调节等应用。其可靠的性能和宽温度范围（-55°C至+175°C），使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总之，IRF5305PBF凭借其优异的电气特性、可靠性和广泛的适用性，在电力电子领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 31A TO-220ABMOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 31 A |
| Id-连续漏极电流 | - 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5305PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5305PBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 0.06 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF5305PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 0.06 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf5305.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf5305.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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