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  • 型号: IRF5210PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5210PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5210PBF价格参考¥5.83-¥6.12。International RectifierIRF5210PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF5210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF5210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 100V 40A TO-220ABMOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 40 A

Id-连续漏极电流

- 40 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5210PBFHEXFET®

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产品型号

IRF5210PBF

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

120 nC

Qg-栅极电荷

120 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

180nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 24A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF5210PBF

功率-最大值

200W

功率耗散

200 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

60 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

P-Channel

栅极电荷Qg

120 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

- 40 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf5210.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf5210.spi

闸/源击穿电压

20 V

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