Datasheet下载- 型号： IRF5210PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5210PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5210PBF价格参考￥5.83-￥6.12。International RectifierIRF5210PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF5210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF5210PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 - IRF5210PBF适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电压调节模块（VRM）等应用。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 - 在电池充电电路中，可以用作开关元件，实现高效的电流控制。 2. 电机驱动 - 该型号的MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过快速切换开关状态，可以精确控制电机的速度和方向。 - 在电动车窗、电动座椅或其他汽车电子系统中，IRF5210PBF能够提供稳定的电流输出。 3. 负载开关 - 在消费电子设备中，如智能手机、平板电脑或笔记本电脑，IRF5210PBF可用作负载开关，用于动态管理不同组件的供电状态，从而降低功耗。 4. 逆变器和UPS系统 - IRF5210PBF适合用于小型逆变器或不间断电源（UPS）系统中，作为功率开关器件，将直流电转换为交流电。 5. LED驱动 - 在高亮度LED照明应用中，该MOSFET可以用于恒流源电路，确保LED获得稳定的电流供应，同时提高能效。 6. 信号放大与保护 - 由于其较高的击穿电压（Vds）和较低的导通电阻，IRF5210PBF可以用于信号放大的场景，同时还能起到过流保护的作用。 特性总结： - 额定电压：高达100V，适用于中高压应用场景。 - 额定电流：持续电流可达27A，支持大功率负载。 - 低Rds(on)：减少导通损耗，提高整体效率。 - 快速开关速度：适合高频开关应用。 综上所述，IRF5210PBF凭借其高性能参数，广泛应用于各类需要高效功率控制和开关操作的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 40A TO-220ABMOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 40 A |
| Id-连续漏极电流 | - 40 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5210PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5210PBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF5210PBF |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | - 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf5210.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf5210.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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