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  • 型号: IRF520PBF
  • 制造商: Vishay
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IRF520PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF520PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF520PBF价格参考。VishayIRF520PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF520PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF520PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRF520PBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
IRF520PBF 常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。它可以在高频条件下高效地切换电流,从而提高电源的转换效率。由于其低导通电阻(Rds(on)),在导通状态下损耗较小,适合用于低压、大电流的应用场景。

 2. 电机驱动
该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过 PWM(脉宽调制)控制,可以调节电机的速度和扭矩。IRF520PBF 的快速开关特性使其能够在高频率下稳定工作,减少电磁干扰(EMI)。

 3. 音频放大器
在一些线性音频放大器设计中,IRF520PBF 可作为输出级的功率器件。它能够提供足够的电流驱动扬声器,并且具有良好的线性度,确保音频信号的保真度。

 4. 电池管理系统
IRF520PBF 可用于电池充电和放电保护电路中。它可以通过检测电池电压和电流来控制充电和放电过程,防止过充、过放以及短路等问题。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命。

 5. 继电器替代
在某些应用中,IRF520PBF 可以替代传统的机械继电器。与继电器相比,MOSFET 具有更快的响应速度、更长的使用寿命以及更低的功耗。它可以用于控制负载的通断,如灯具、风扇等。

 6. LED 驱动
IRF520PBF 还适用于 LED 驱动电路,特别是在需要高亮度和高效率的情况下。通过 PWM 控制,可以实现 LED 的亮度调节,并且其低导通电阻有助于减少发热,提高系统的可靠性。

总之,IRF520PBF 凭借其出色的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、音频放大、电池管理等多个领域都有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.2 A

Id-连续漏极电流

9.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF520PBF-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF520PBFIRF520PBF

Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

270 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

270 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

30 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

360pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 5.5A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF520PBF

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

60W

功率耗散

60 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

270 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

9.2 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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