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IRF520NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF520NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF520NPBF价格参考¥2.15-¥2.27。International RectifierIRF520NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF520NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF520NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF520NPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 开关电源:IRF520NPBF适用于多种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它能够在高频开关状态下保持较低的导通电阻,从而提高效率并减少发热。 2. 电机控制:该器件常用于小型电机驱动电路中,如步进电机、直流无刷电机等。通过精确控制栅极电压,可以实现对电机转速和方向的有效调节,广泛应用于家用电器、电动工具等领域。 3. 音频放大器:在某些功率放大器设计中,IRF520NPBF可以用作输出级晶体管,提供足够的电流以驱动扬声器。由于其低噪声特性和良好的线性度,能够保证音频信号的高质量传输。 4. 电池管理:在锂电池保护板或其他类型的电池管理系统中,这款MOSFET可用于充放电路径的开关控制,确保电池安全工作,并防止过充、过放等问题。 5. 逆变器与变频器:IRF520NPBF也可应用于光伏逆变器或工业变频器中,作为功率变换的核心元件之一,帮助实现交流与直流之间的高效转换。 6. 负载开关:在消费电子产品及汽车电子系统内,此款MOSFET可充当负载开关的角色,在需要时切断或接通负载电流,起到保护作用。 总之,凭借其出色的电气性能和可靠性,IRF520NPBF成为众多工程师在设计涉及功率控制和转换电路时的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.7 A |
Id-连续漏极电流 | 9.7 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF520NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF520NPBF |
Pd-PowerDissipation | 48 W |
Pd-功率耗散 | 48 W |
Qg-GateCharge | 16.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 5.7A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF520NPBF |
功率-最大值 | 48W |
功率耗散 | 48 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 200 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 16.7 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 9.7 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.7A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf520n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf520n.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |