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IRF510STRRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF510STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF510STRRPBF价格参考。VishayIRF510STRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-263(D²Pak)。您可以下载IRF510STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF510STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF510STRRPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备和电路中。其主要应用场景包括: 1. 开关电源:IRF510STRRPBF常用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的通断,从而实现电压转换和稳压功能。它具有较低的导通电阻和快速的开关速度,有助于提高电源效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动:在小型电机驱动应用中,该MOSFET可以作为驱动信号的放大器,控制电机的启动、停止和转速调节。由于其低导通电阻和高耐压特性,适合驱动直流电机、步进电机等。 3. 音频放大器:在音频放大器电路中,IRF510STRRPBF可以用作输出级的功率放大器件,提供足够的电流驱动扬声器。它的线性度好,失真小,能够保证音频信号的高质量传输。 4. 负载切换:在需要频繁切换负载的应用中,如LED照明系统或电池管理系统,该MOSFET可以作为一个高效的开关元件,快速响应负载变化,确保系统的稳定性和可靠性。 5. 保护电路:IRF510STRRPBF还可以用于过流保护、短路保护等电路中,通过检测异常电流并迅速切断电路,防止损坏其他敏感元件。其内置的ESD保护功能也增强了整体电路的抗干扰能力。 6. 脉宽调制(PWM)控制器:在PWM控制电路中,该MOSFET可以作为开关元件,根据输入的PWM信号调整输出电压或电流,适用于LED调光、风扇调速等应用场景。 总之,IRF510STRRPBF凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在各种电力电子设备和控制系统中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.6 A |
Id-连续漏极电流 | 5.6 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF510STRRPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF510STRRPBFIRF510STRRPBF |
Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
Pd-功率耗散 | 3.7 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 9.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 3.4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | IRF510STRRPBFDKR |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 540 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 5.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.6A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |