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  • 型号: IRF510STRRPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF510STRRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF510STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF510STRRPBF价格参考。VishayIRF510STRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-263(D²Pak)。您可以下载IRF510STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF510STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF510STRRPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备和电路中。其主要应用场景包括:

1. 开关电源:IRF510STRRPBF常用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的通断,从而实现电压转换和稳压功能。它具有较低的导通电阻和快速的开关速度,有助于提高电源效率并减少能量损耗。

2. 电机驱动:在小型电机驱动应用中,该MOSFET可以作为驱动信号的放大器,控制电机的启动、停止和转速调节。由于其低导通电阻和高耐压特性,适合驱动直流电机、步进电机等。

3. 音频放大器:在音频放大器电路中,IRF510STRRPBF可以用作输出级的功率放大器件,提供足够的电流驱动扬声器。它的线性度好,失真小,能够保证音频信号的高质量传输。

4. 负载切换:在需要频繁切换负载的应用中,如LED照明系统或电池管理系统,该MOSFET可以作为一个高效的开关元件,快速响应负载变化,确保系统的稳定性和可靠性。

5. 保护电路:IRF510STRRPBF还可以用于过流保护、短路保护等电路中,通过检测异常电流并迅速切断电路,防止损坏其他敏感元件。其内置的ESD保护功能也增强了整体电路的抗干扰能力。

6. 脉宽调制(PWM)控制器:在PWM控制电路中,该MOSFET可以作为开关元件,根据输入的PWM信号调整输出电压或电流,适用于LED调光、风扇调速等应用场景。

总之,IRF510STRRPBF凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在各种电力电子设备和控制系统中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.6 A

Id-连续漏极电流

5.6 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF510STRRPBF-

数据手册

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产品型号

IRF510STRRPBFIRF510STRRPBF

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

540 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

540 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

16 ns

下降时间

9.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

180pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

540 毫欧 @ 3.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

IRF510STRRPBFDKR

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

3.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

540 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

5.6 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.6A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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