ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF510STRR
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF510STRR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF510STRR价格参考。VishayIRF510STRR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF510STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF510STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF510STRR是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 IRF510STRR常用于开关电源中的功率开关,尤其是在低频开关应用中。它能够快速响应电压变化,实现高效的电源转换。由于其较低的导通电阻(Rds(on)),在导通状态下可以减少功耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中,IRF510STRR可以作为驱动晶体管使用。通过控制栅极电压,它可以调节电机的转速和方向。其高电流承载能力(最大漏极电流可达4A)使其适用于中小功率电机的驱动。 3. 音频放大器 在一些音频放大器电路中,IRF510STRR可以用作输出级的功率放大器件。它的线性特性较好,能够在音频信号放大的过程中保持较低的失真率,提供高质量的音频输出。 4. 电池管理系统 IRF510STRR可用于电池管理系统的充放电控制电路中。通过控制MOSFET的开关状态,可以实现对电池充放电过程的精确控制,防止过充、过放等现象,延长电池寿命。 5. 负载开关 在需要频繁切换负载的电路中,IRF510STRR可以作为负载开关使用。它能够快速响应控制信号,实现负载的通断控制。其低导通电阻有助于减少开关损耗,提高系统效率。 6. 继电器替代 在一些应用场景中,IRF510STRR可以用作固态继电器的替代品。相比于机械继电器,MOSFET具有更快的响应速度、更长的使用寿命以及更高的可靠性。 7. 脉宽调制(PWM)控制器 IRF510STRR常用于PWM控制器中,特别是在LED驱动、风扇调速等应用中。通过调整PWM信号的占空比,可以精确控制输出功率,实现节能和性能优化。 总的来说,IRF510STRR凭借其优异的电气特性、可靠性和广泛的适用性,在电力电子领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91016 |
产品图片 | |
产品型号 | IRF510STRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 3.4A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.6A (Tc) |