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Datasheet下载- 型号： IRF510PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF510PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF510PBF价格参考。VishayIRF510PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF510PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF510PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF510PBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRF510PBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。其低导通电阻特性使其在高频率工作时表现出色，适合用于笔记本电脑、手机充电器等便携式设备的电源设计。 2. 电机驱动 该MOSFET适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过PWM（脉宽调制）技术，IRF510PBF可以精确控制电机的速度和扭矩，广泛应用于机器人、自动化设备、电动工具等领域。 3. 音频功放 在音频放大器中，IRF510PBF可用作输出级的功率放大器件。它能够提供足够的电流驱动扬声器，同时具备良好的线性度和低失真特性，确保音质清晰稳定。此外，其快速开关速度也有助于减少音频信号中的噪声干扰。 4. 负载切换 IRF510PBF可用于各种负载切换应用，如LED照明系统、汽车电子中的继电器替代等。它可以通过逻辑电平信号快速响应，实现对负载的通断控制，具有较高的可靠性和耐用性。 5. 保护电路 该MOSFET还常用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时，IRF510PBF可以迅速切断电流路径，防止下游电路损坏，起到保护作用。 6. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRF510PBF可用于将直流电转换为交流电。其高频开关特性和较低的热损耗使其成为逆变器设计中的理想选择。 总之，IRF510PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在电源管理、电机驱动、音频功放、负载切换、保护电路和逆变器等多种应用场景中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220ABMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF510PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF510PBFIRF510PBF |
| Pd-PowerDissipation | 43 W |
| Pd-功率耗散 | 43 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF510PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 43W |
| 功率耗散 | 43 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 540 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 5.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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