ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF510L
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF510L
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF510L由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF510L价格参考。VishayIRF510L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） TO-262-3。您可以下载IRF510L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF510L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF510L是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：IRF510L常用于开关电源中的功率开关，能够高效地控制电流的通断，适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等设备。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频工作条件下保持较高的效率。 2. 电机驱动：在小型电机驱动电路中，IRF510L可以用作功率放大器，驱动直流电机或步进电机。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合用于需要频繁启停或调速的电机控制系统。 3. 负载开关：IRF510L可以作为负载开关使用，用于控制电源与负载之间的连接。通过栅极信号控制MOSFET的导通和关断，实现对负载的精确控制，适用于电池供电设备、便携式电子产品等。 4. 逆变器和变频器：在逆变器和变频器电路中，IRF510L可以用于将直流电转换为交流电，或者改变交流电的频率。其高耐压（最大漏源电压为100V）和大电流能力（最大连续漏极电流为4A）使其能够应对这些应用中的电压和电流变化。 5. 保护电路：IRF510L还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流大小，当超过设定阈值时，迅速切断电路，保护后端设备免受损坏。 6. 音频放大器：在一些音频放大器设计中，IRF510L可以用作输出级晶体管，提供足够的电流驱动扬声器或其他音频负载。其线性工作区域能够确保音频信号的准确传递。 7. 脉宽调制（PWM）控制：IRF510L适用于PWM控制电路，如LED调光、风扇调速等。通过调整PWM信号的占空比，可以精确控制输出功率或亮度。 总之，IRF510L凭借其优良的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用中表现出色，适用于需要高效、快速开关操作的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRF510L |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 其它名称 | *IRF510L |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A （Tc） |
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