ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF4905PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF4905PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF4905PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF4905PBF价格参考￥4.16-￥5.21。International RectifierIRF4905PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 55V 74A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF4905PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF4905PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF4905PBF是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。这款器件具有以下特点： 1. 低导通电阻：IRF4905PBF的典型导通电阻（Rds(on)）为4.5毫欧（mΩ），这使得它在大电流应用中能够减少功率损耗，提高效率。 2. 高电流承载能力：该器件的最大连续漏极电流（Id）为73A（25°C时），适用于需要处理大电流的场合，如电机驱动、电源管理等。 3. 快速开关特性：由于其较低的栅极电荷（Qg），IRF4905PBF具备快速开关的能力，适合高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器等。 4. 耐压能力：该器件的最大漏源电压（Vds）为55V，适用于低压到中压范围内的应用，如汽车电子、工业控制等。 应用场景 1. 电源管理：IRF4905PBF广泛应用于各种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等。其低导通电阻有助于提高电源转换效率，降低发热。 2. 电机驱动：在电机驱动应用中，该器件可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如，在电动工具、家用电器（如洗衣机、空调）以及电动汽车的电机控制系统中，IRF4905PBF能够提供高效的电流控制。 3. 电池管理系统（BMS）：在电池管理系统中，IRF4905PBF可用于电池充放电保护电路，确保电池的安全性和延长使用寿命。它可以在过流、短路等异常情况下迅速切断电流路径。 4. 逆变器和转换器：在光伏逆变器、DC-DC转换器等电力转换设备中，IRF4905PBF的快速开关特性和低导通电阻使其成为理想选择，能够有效提升系统的整体效率。 5. 汽车电子：该器件符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子中的多种应用场景，如车载充电器、LED照明系统、电动助力转向系统（EPS）等。 总之，IRF4905PBF凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效功率管理、快速开关响应和大电流承载能力的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 74A TO-220ABMOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 74 A |
| Id-连续漏极电流 | - 74 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF4905PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF4905PBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 38A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF4905PBF |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 20 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 74 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 74A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf4905.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf4905.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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