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IRF3805L-7PPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3805L-7PPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3805L-7PPBF价格参考。International RectifierIRF3805L-7PPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)。您可以下载IRF3805L-7PPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3805L-7PPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7MOSFET MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 240 A |
Id-连续漏极电流 | 240 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3805L-7PPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF3805L-7PPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 130 nC |
Qg-栅极电荷 | 130 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7820pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 毫欧 @ 140A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 160A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf3805s-7p.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf3805s-7p.spi |