Datasheet下载- 型号： IRF3710PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3710PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3710PBF价格参考￥3.19-￥3.40。International RectifierIRF3710PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF3710PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF3710PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF3710PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） - IRF3710PBF常用于开关电源中的开关管，适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场景。其低导通电阻（Rds(on) = 0.18 Ω @ Vgs = 10V）和较高的漏极电流能力（Id = 42A @ 25°C），能够有效减少功耗并提高效率。 2. 电机驱动 - 在中小型电机驱动应用中，IRF3710PBF可用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如，它适用于家用电器（如风扇、水泵）或工业设备中的直流电机驱动。 3. 逆变器 - 该器件可应用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等系统中，作为功率级开关元件，实现直流到交流的转换。 4. 负载切换 - 在汽车电子或工业控制系统中，IRF3710PBF可以用作负载切换开关，控制高电流负载的通断，确保系统的稳定性和安全性。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，IRF3710PBF可以充当充放电控制开关，防止过充、过放或短路等情况发生。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中，IRF3710PBF可用作输出级开关器件，提供高效的音频信号放大功能。 性能特点： - 电压范围：最大漏源极电压（Vds）为100V，适合中低压应用。 - 快速开关能力：较低的栅极电荷（Qg = 49 nC @ Vgs = 10V）使其具备快速开关特性，减少开关损耗。 - 散热性能：采用TO-220封装，便于散热设计，适合需要高效散热的应用场合。 总之，IRF3710PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和新能源等领域中的功率管理与转换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3710PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF3710PBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 86.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 28A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF3710PBF |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 86.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 57 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3710.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3710.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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