ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF3709ZPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF3709ZPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3709ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3709ZPBF价格参考。International RectifierIRF3709ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF3709ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF3709ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF3709ZPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。它能够高效地进行电流切换，提供稳定的电压输出，适用于笔记本电脑、服务器和其他需要高能效电源管理的设备。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机控制器，IRF3709ZPBF可以实现精确的速度和位置控制。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统效率。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及便携式电子产品中，该MOSFET可用于电池充放电保护电路，确保电池的安全性和延长使用寿命。 4. 通信基础设施：基站、路由器等通信设备中的电源部分也常用到此款MOSFET，以保证数据传输过程中的稳定供电。 5. 消费类电子产品：包括智能手机快充适配器、平板电脑充电器在内的多种消费类电子产品中，IRF3709ZPBF因其快速开关特性和良好的热性能而被采用。 6. 工业自动化：在工厂自动化系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，这款MOSFET可以作为功率级元件，实现高效的能量传递和信号隔离。 总之，IRF3709ZPBF凭借其优异的电气特性、紧凑的封装形式以及可靠的性能表现，在众多领域内都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220ABMOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 87 A |
| Id-连续漏极电流 | 87 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3709ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF3709ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2130pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF3709ZPBF |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 87A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf3709z_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf3709z_s_l.spi |
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