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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF3709STRRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: 该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。它能够高效地进行电流开关操作,提供稳定的电压输出,同时降低能量损耗。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,IRF3709STRRPBF可用于控制电机的速度和方向。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少发热并提高效率。 3. 电池管理系统(BMS): 用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响。MOSFET作为电子开关,可以快速切断异常电流路径,确保电池安全。 4. 负载切换: 在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑或其他便携式设备,这款MOSFET可用于动态切换不同负载状态,优化功耗性能。 5. 信号放大与缓冲: 在某些音频或射频应用中,IRF3709STRRPBF可用作信号放大或缓冲元件,提供更高的驱动能力。 6. 逆变器电路: 在小型光伏逆变器或UPS系统中,该器件可参与构建H桥或半桥拓扑结构,实现交流电与直流电之间的转换。 总之,IRF3709STRRPBF凭借其优良的电气特性和可靠性,适合多种工业、汽车及消费类电子产品的功率控制与转换需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF3709STRRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2672pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 15A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |