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  • 型号: IRF3205SPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF3205SPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3205SPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3205SPBF价格参考。International RectifierIRF3205SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF3205SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3205SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF3205SPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几类:

 1. 电源管理
   IRF3205SPBF常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断,减少功率损耗,提高电源转换效率。特别是在需要高频率切换的应用中,该器件的低导通电阻(Rds(on))特性可以显著降低功耗。

 2. 电机驱动
   在电机驱动电路中,IRF3205SPBF可用于控制直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较大的电流冲击,并且具有良好的热稳定性,适合长时间运行的电机控制系统。

 3. 逆变器与变频器
   该MOSFET在逆变器和变频器中也有广泛应用,尤其是在太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中。它能够快速响应电压和电流的变化,确保输出波形的稳定性和精度,从而提高系统的整体性能。

 4. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,IRF3205SPBF可用于保护电路,防止过充、过放和短路等问题。它可以通过精确控制充电和放电回路中的电流,延长电池寿命并提高安全性。

 5. LED驱动
   在LED照明系统中,IRF3205SPBF可用于恒流源电路,确保LED灯珠获得稳定的电流供应,避免因电流波动导致的亮度不均匀或损坏问题。

 6. 消费电子产品
   该MOSFET还常见于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的充电接口保护电路中,起到过流保护的作用,防止外部电源异常对设备造成损害。

总之,IRF3205SPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在各类电力电子设备中扮演着重要角色,适用于需要高效、稳定电流控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

110 A

Id-连续漏极电流

110 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3205SPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF3205SPBF

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

97.3 nC

Qg-栅极电荷

97.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

101 ns

下降时间

65 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3247pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

146nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 62A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

*IRF3205SPBF

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

200W

功率耗散

200 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

97.3 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

110 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3205s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3205s.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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