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IRF3205SPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3205SPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3205SPBF价格参考。International RectifierIRF3205SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF3205SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3205SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF3205SPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 电源管理 IRF3205SPBF常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断,减少功率损耗,提高电源转换效率。特别是在需要高频率切换的应用中,该器件的低导通电阻(Rds(on))特性可以显著降低功耗。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,IRF3205SPBF可用于控制直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较大的电流冲击,并且具有良好的热稳定性,适合长时间运行的电机控制系统。 3. 逆变器与变频器 该MOSFET在逆变器和变频器中也有广泛应用,尤其是在太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中。它能够快速响应电压和电流的变化,确保输出波形的稳定性和精度,从而提高系统的整体性能。 4. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,IRF3205SPBF可用于保护电路,防止过充、过放和短路等问题。它可以通过精确控制充电和放电回路中的电流,延长电池寿命并提高安全性。 5. LED驱动 在LED照明系统中,IRF3205SPBF可用于恒流源电路,确保LED灯珠获得稳定的电流供应,避免因电流波动导致的亮度不均匀或损坏问题。 6. 消费电子产品 该MOSFET还常见于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的充电接口保护电路中,起到过流保护的作用,防止外部电源异常对设备造成损害。 总之,IRF3205SPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在各类电力电子设备中扮演着重要角色,适用于需要高效、稳定电流控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3205SPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF3205SPBF |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
Qg-GateCharge | 97.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 97.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 101 ns |
下降时间 | 65 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3247pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 146nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 62A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRF3205SPBF |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 200W |
功率耗散 | 200 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 8 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 97.3 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 110 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3205s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3205s.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |