ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF3205LPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF3205LPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3205LPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3205LPBF价格参考。International RectifierIRF3205LPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262。您可以下载IRF3205LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3205LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3205LPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF3205LPBF |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
Qg-GateCharge | 97.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 97.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3247pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 146nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 62A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRF3205LPBF |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |
PD - 95106 IRF3205SPbF IRF3205LPbF HEXFETfi Power MOSFET (cid:1) Advanced Process Technology (cid:1) Ultra Low On-Resistance D (cid:1) Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V (cid:1) 175(cid:176)C Operating Temperature (cid:1) Fast Switching R = 8.0mΩ DS(on) (cid:1) Fully Avalanche Rated G (cid:1) Lead-Free I = 110A(cid:1) D S Description Advanced HEXFETfi Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on- resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power D2Pak TO-262 capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface IRF3205SPbF IRF3205LPbF mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF3205L) is available for low-profile applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V 110 (cid:1) D C GS I @ T = 100(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V 80 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:2) 390 DM P @T = 25(cid:176)C Power Dissipation 200 W D C Linear Derating Factor 1.3 W/(cid:176)C V Gate-to-Source Voltage – 20 V GS I Avalanche Current(cid:2) 62 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:2) 20 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3) 5.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range (cid:176)C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf(cid:149)in (1.1N(cid:149)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.75 (cid:176)C/W RθJA Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)* (cid:150)(cid:150)(cid:150) 40 www.irf.com 1 03/11/04
IRF3205S/LPbF Electrical Characteristics @ T = 25(cid:176)C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) V VGS = 0V, ID = 250(cid:181)A ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.057 (cid:150)(cid:150)(cid:150) V/(cid:176)C Reference to 25(cid:176)C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 8.0 mΩ VGS = 10V, ID = 62A(cid:2)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 (cid:150)(cid:150)(cid:150) 4.0 V VDS = VGS, ID = 250(cid:181)A gfs Forward Transconductance 44 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) S VDS = 25V, ID = 62A(cid:3) IDSS Drain-to-Source Leakage Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 25 (cid:181)A VDS = 55V, VGS = 0V (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 250 VDS = 44V, VGS = 0V, TJ = 150(cid:176)C I Gate-to-Source Forward Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 100 nA VGS = 20V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) -100 VGS = -20V Qg Total Gate Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 146 ID = 62A Qgs Gate-to-Source Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 35 nC VDS = 44V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 54 VGS = 10V, See Fig. 6 and 13 td(on) Turn-On Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 14 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDD = 28V tr Rise Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 101 (cid:150)(cid:150)(cid:150) ns ID = 62A td(off) Turn-Off Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 50 (cid:150)(cid:150)(cid:150) RG = 4.5Ω tf Fall Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 65 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 10V, See Fig. 10 (cid:3) Between lead, D L Internal Drain Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 4.5 (cid:150)(cid:150)(cid:150) D 6mm (0.25in.) nH from package G LS Internal Source Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 7.5 (cid:150)(cid:150)(cid:150) and center of die contact S Ciss Input Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 3247 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 0V Coss Output Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 781 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 211 (cid:150)(cid:150)(cid:150) pF (cid:131) = 1.0MHz, See Fig. 5 EAS Single Pulse Avalanche Energy(cid:5) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1050(cid:4) 264(cid:5) mJ IAS = 62A, L = 138µH Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 110 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the A ISM Pulsed Source Current integral reverse G (Body Diode)(cid:2) (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 390 p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1.3 V TJ = 25(cid:176)C, IS = 62A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 69 104 ns TJ = 25(cid:176)C, IF = 62A Qrr Reverse Recovery Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) 143 215 nC di/dt = 100A/(cid:181)s (cid:4) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:2)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:4) Pulse width ≤ 400(cid:181)s; duty cycle ≤ 2%. max. junction temperature. ( See fig. 11 ) (cid:1) Calculated continuous current based on maximum allowable (cid:5) Starting T = 25(cid:176)C, L = 138(cid:181)H J junction temperature. Package limitation current is 75A. RG = 25Ω, IAS = 62A. (See Figure 12) (cid:6) This is a typical value at device destruction and represents (cid:3)ISD ≤(cid:1)62A(cid:2)(cid:1)di/d(cid:3)(cid:1)≤(cid:1)207A/(cid:181)s, VDD(cid:1)≤(cid:1)V(BR)DSS, operation outside rated limits. TJ ≤ 175(cid:176)C (cid:7)This is a calculated value limited to TJ = 175(cid:176)C. *(cid:1)When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. 2 www.irf.com
IRF3205S/LPbF 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V urrent (A) BOTTOM18765540......000505VVVVVVV urrent (A) BOTTOM18765540......000505VVVVVVV C 100 C 100 e e urc urc o o S S 4.5V o- o- n-t n-t ai 10 ai 10 Dr 4.5V Dr I , D I , D 20(cid:181)s PULSE WIDTH 20(cid:181)s PULSE WIDTH TJ = 25(cid:176)C TJ = 175(cid:176)C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) VD S , Drain-to-Source Voltage (V) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) 1000 ce 2.5 ID=107A n (A) TJ = 25 (cid:176) C sta ent Resi 2.0 urr TJ = 175 (cid:176) C n C 100 O ce ce ed) 1.5 our ouraliz S Sm n-to- n-to-Nor 1.0 ai 10 ai( Dr Dr I , D V20 D (cid:181) Ss =P 2U5LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 1 0.0 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 V , Gate-to-Source Voltage (V) T , Junction Temperature ( (cid:176) C) GS J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:2)(cid:14)(cid:7)(cid:17)(cid:16)(cid:18)(cid:15)(cid:14)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:22)(cid:15)(cid:23)(cid:1)(cid:9)(cid:17)(cid:24)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:15) (cid:26)(cid:16)(cid:27)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:14)(cid:15) www.irf.com 3
IRF3205S/LPbF 6000 16 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID=62A 5000 CCrissss = = C Cggsd + Cgd, Cds SHORTED e (V) 14 VVVDDSS=== 124174VVV Coss = Cds + Cgd ag 12 DS F) olt p 4000 V e( Ciss e 10 nc rc a u acti 3000 So 8 CCap , 2000 Coss ate-to- 6 G 1000 Crss V , GS 4 2 0 0 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 Q , Total Gate Charge (nC) G VDS, Drain-to-Source Voltage (V) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:12)(cid:7)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:16)(cid:27) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)!(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14) (cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:16)(cid:27) (cid:29)(cid:14)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:24)(cid:11)(cid:20)(cid:24)(cid:28)(cid:20)(cid:10)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:11)(cid:7) (cid:15) !(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:24)(cid:11)(cid:20)(cid:24)(cid:28)(cid:20)(cid:10)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:1)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:11)(cid:7) (cid:15) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED A) BY RDS(on) nt ( TJ = 175 (cid:176) C re 100 A)A) 1000 Cur nt (nt ( ain urreurre 10us e Dr 10 n Cn C 100 s aiai 100us er DrDr I , RevSD 1 TJ = 25 (cid:176) C I , I , D 10 TC= 25 (cid:176) C 11m0mss TJ= 175 (cid:176)C V G S = 0 V Single Pulse 0.1 1 0.2 0.8 1.4 2.0 2.6 1 10 100 1000 VS D ,Source-to-Drain Voltage (V) VD S , Drain-to-Source Voltage (V) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:10)(cid:10)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:20)(cid:20)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)(cid:24)(cid:24)(cid:29)(cid:29)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17)(cid:1)(cid:1)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:5)(cid:20)(cid:20)(cid:23)(cid:23)(cid:15)(cid:15) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:13)(cid:6)(cid:1)(cid:1)"(cid:7)#(cid:5)(cid:21)(cid:10)(cid:21)(cid:1)(cid:28)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:1)(cid:9)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:17) (cid:1)$(cid:14)(cid:15)(cid:7) (cid:30)(cid:30)(cid:20)(cid:20)(cid:14)(cid:14)(cid:31)(cid:31)(cid:7)(cid:7)(cid:14)(cid:14)(cid:23)(cid:23)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:20)(cid:20)(cid:8)(cid:8)(cid:11)(cid:11)(cid:7)(cid:7) (cid:15)(cid:15) 4 www.irf.com
IRF3205S/LPbF (cid:4) (cid:2) (cid:5)(cid:5) 120 (cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3) LIMITED BY PACKAGE (cid:5)(cid:5) (cid:21)(cid:21)(cid:3)(cid:3) (cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:9)(cid:7)(cid:7) 100 (cid:4)(cid:4) (cid:21)(cid:21) A) (cid:5)+-(cid:2)(cid:2) ( nt 80 (cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:5)(cid:5) e r ur (cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:9)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:1)(cid:1)≤≤ 11 (cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7) n C 60 (cid:2)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:12)(cid:12)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:16)(cid:16)(cid:17)(cid:17)(cid:18)(cid:18)(cid:12)(cid:12)(cid:19)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:1)(cid:1)≤≤ 00..11 %% ai r (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:15)(cid:15)(cid:16)(cid:16)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:31)(cid:31)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11)(cid:6)(cid:6)(cid:13)(cid:13)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15)(cid:15)(cid:16)(cid:16)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:5)(cid:5)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:10)(cid:10)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11) D I , D 40 VVDDSS 20 9900%% 0 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature( (cid:176) C) 1100%% VVGGSS ttdd((oonn)) ttrr ttdd((ooffff)) ttff (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:14)(cid:14)(cid:6)(cid:6)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)""(cid:7)(cid:7)##(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:21)(cid:1)(cid:1)(cid:29)(cid:29)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17)(cid:1)(cid:1)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:26)(cid:26)(cid:16)(cid:16)(cid:27)(cid:27) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:28)(cid:31)(cid:31)(cid:5)(cid:5)(cid:11)(cid:11)(cid:6)(cid:6)(cid:13)(cid:13)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:17) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)%%(cid:7)(cid:7)&&(cid:15)(cid:15)(cid:18)(cid:18)(cid:20)(cid:20)(cid:14)(cid:14)(cid:21)(cid:21)(cid:16)(cid:16) (cid:12)(cid:12)(cid:7)(cid:7)(cid:16)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15)(cid:15)(cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:15)(cid:15)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:15) 1 ) Z thJC D = 0.50 ( se 0.20 n o sp 0.1 0.10 e R al 0.05 PDM m er 0.02 (THESRINMGALLE R PEUSLPSOENSE) t1 h 0.01 t2 T Notes: 1. Duty factor D =t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)""(cid:7)(cid:7)##(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:10)(cid:10)(cid:21)(cid:21)(cid:1)(cid:1)’’(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:15)(cid:15)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:5)(cid:5)&&(cid:15)(cid:15)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:14)(cid:7)(cid:7)(cid:17)(cid:17)(cid:16)(cid:16)(cid:5)(cid:5)(cid:15)(cid:15)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:11)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:15)(cid:14)(cid:14)(cid:21)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(((cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:15)(cid:15)(cid:23)(cid:23)(cid:7)(cid:7)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:15)(cid:15)))(cid:1)(cid:1)**(cid:10)(cid:10)(cid:17)(cid:17)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:5)(cid:5)(cid:20)(cid:20)(cid:17)(cid:17)(cid:24)(cid:24)(cid:11)(cid:11)(cid:20)(cid:20)(cid:24)(cid:24)(cid:12)(cid:12)(cid:7)(cid:7)(cid:16)(cid:16)(cid:15)(cid:15) www.irf.com 5
IRF3205S/LPbF ) 500 15V mJ ID y ( TOP 25A g 44A er 400 BOTTOM 62A VDS L DRIVER e En h c n 300 RG D.U.T +- VDD vala IAS A A 20V e tp 0.01Ω uls 200 P (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:1).(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:7)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:23)(cid:1)((cid:17)(cid:23)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:5)&(cid:15)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:5)(cid:14)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:11) e gl n 100 Si tp V(BR)DSS E , AS 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( (cid:176) C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:18)(cid:6)(cid:1)(cid:1)"(cid:7)#(cid:5)(cid:21)(cid:10)(cid:21)(cid:1)$&(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:13)(cid:15)(cid:1)’(cid:17)(cid:15)(cid:14) (cid:3) (cid:26)(cid:16)(cid:27)(cid:1)(cid:29)(cid:14)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:1)(cid:12)(cid:10)(cid:14)(cid:14)(cid:15)(cid:17)(cid:11) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:17)(cid:6)(cid:4)(cid:1).(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:7)(cid:21)(cid:4)(cid:15)(cid:23)(cid:1)((cid:17)(cid:23)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:5)&(cid:15)(cid:1)%(cid:7)&(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:16) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF +,(cid:1)(cid:26) + D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:16)(cid:6)(cid:4)(cid:1)-(cid:7)(cid:16)(cid:5)(cid:6)(cid:1)!(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14) (cid:15)(cid:1)%(cid:7)&(cid:15)(cid:18)(cid:20)(cid:14)(cid:21) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:17)(cid:6)(cid:4)(cid:1)!(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14) (cid:15)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:5)(cid:14)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:11) 6 www.irf.com
IRF3205S/LPbF (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + &(cid:19)(cid:16)(cid:20)"(cid:19)(cid:3)(cid:1)(cid:17)(cid:30)(cid:29)(cid:15)"(cid:3)(cid:1)&(cid:15)(cid:27)(cid:24)(cid:19)(cid:25)(cid:21)(cid:16)(cid:30)(cid:3)(cid:19)(cid:15)(cid:27)(cid:24) (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10) • (cid:1)(cid:17)(cid:15)’(cid:1)((cid:3)(cid:16)(cid:30)(cid:29)(cid:1)!(cid:27)(cid:25)"(cid:20)(cid:3)(cid:30)(cid:27)(cid:20)(cid:21) (cid:3) (cid:1)(cid:1) • )(cid:16)(cid:15)"(cid:27)(cid:25)(cid:1)*(cid:23)(cid:30)(cid:27)(cid:21) (cid:1)(cid:1) • (cid:17)(cid:15)’(cid:1)(cid:17)(cid:21)(cid:30)+(cid:30)(cid:18)(cid:21)(cid:1)!(cid:27)(cid:25)"(cid:20)(cid:3)(cid:30)(cid:27)(cid:20)(cid:21) (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)&"(cid:16)(cid:16)(cid:21)(cid:27)(cid:3)(cid:1)(cid:9)(cid:16)(cid:30)(cid:27)(cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:31)(cid:21)(cid:16) - + (cid:5) (cid:4) - + - (cid:2) (cid:4)(cid:21) • (cid:25)(cid:22)(cid:26)(cid:25)(cid:3)(cid:1)(cid:20)(cid:15)(cid:27)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:23)(cid:23)(cid:21)(cid:25)(cid:1)(cid:28)(cid:29)(cid:1)(cid:4)(cid:21) + •• (cid:6)!(cid:3)(cid:16)(cid:2)(cid:19)(cid:1)(cid:22)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:16)(cid:27)(cid:1)(cid:24)(cid:3)(cid:30)(cid:16)(cid:15)(cid:31)(cid:23)(cid:23)(cid:21)(cid:21)(cid:25)(cid:1)(cid:3)(cid:1)(cid:29)(cid:28) (cid:29)(cid:21)(cid:1)(cid:1)(cid:6)(cid:30)"(cid:24)(cid:3)(cid:1)(cid:29)(cid:6)(cid:1)#(cid:7)(cid:8)(cid:30)(cid:7)(cid:20)(cid:9)(cid:3)(cid:15)(cid:7)(cid:16)(cid:1)$(cid:6)$ - (cid:5)(cid:2)(cid:2) • (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:1)%(cid:1)(cid:6)(cid:21)(cid:22)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:1)(cid:8)(cid:27)(cid:25)(cid:21)(cid:16)(cid:1)(cid:9)(cid:21)(cid:24)(cid:3) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V =10V 1 GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt V DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent I Ripple ≤ 5% SD 1(cid:1)(cid:5) (cid:1)(cid:12)(cid:1)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:1)(cid:17)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:1)(cid:17)(cid:21)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:1)(cid:6)(cid:21)(cid:22)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:24) (cid:21)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:4)(cid:30)(cid:20)(cid:14)(cid:1)(cid:19)(cid:24)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:17)(cid:17)(cid:15)(cid:8)(cid:1)/’0(cid:30)’(cid:2)(cid:28) www.irf.com 7
IRF3205S/LPbF (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:23)(cid:4)(cid:3)(cid:11)(cid:18)(cid:5)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:26)(cid:9)(cid:10)(cid:18) Dimensions are shown in millimeters (inches) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:6)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:10)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:18)(cid:18)(cid:22) THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE Note: "P" in assembly line YEAR 0 = 2000 position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY LOT CODE WEEK 02 LINE L (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 0 = 2000 WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE 8 www.irf.com
IRF3205S/LPbF TO-262 Package Outline (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)IGBT 1- GATE 2- COLLECTOR 3- EMITTER TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 19, 1997 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO Note: "P" in assembly line DATE CODE position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY YEAR 7 = 1997 LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9
IRF3205S/LPbF D2Pak Tape & Reel Infomation Dimensions are shown in millimeters (inches) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 43..1900 ((..116513)) 11..6500 ((..006539)) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 15.42 (.609) 24.30 (.957) 15.22 (.601) 23.90 (.941) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 34.. DINICMLEUNDSEIOSN F MLAENAGSEU RDEISDT @OR HTUIOBN. @ OUTER EDGE. 3 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the industrial market. Qualification Standards can be found on IR(cid:146)s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.03/04 10 www.irf.com
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/
Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF3205SPBF IRF3205STRRPBF IRF3205LPBF IRF3205STRLPBF