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  • 型号: IRF2903ZSTRLP
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2903ZSTRLP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2903ZSTRLP价格参考。International RectifierIRF2903ZSTRLP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF2903ZSTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF2903ZSTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAKMOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2903ZSTRLPHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF2903ZSTRLP

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

290 W

Pd-功率耗散

290 W

Qg-栅极电荷

160 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

100 ns

下降时间

37 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6320pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

240nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF2903ZSTRLPDKR

典型关闭延迟时间

48 ns

功率-最大值

290W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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