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  • 型号: IRF2805PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRF2805PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2805PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2805PBF价格参考。International RectifierIRF2805PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF2805PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF2805PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

Ciss-输入电容

5.11 nF

描述

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

175 A

Id-连续漏极电流

175 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2805PBFHEXFET®

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产品型号

IRF2805PBF

Pd-PowerDissipation

330 W

Pd-功率耗散

330 W

Qg-GateCharge

150 nC

Qg-栅极电荷

150 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

120 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5110pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

230nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.7 毫欧 @ 104A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF2805PBF

典型关闭延迟时间

68 ns

功率-最大值

330W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

91 S

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf2805.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf2805.spi

配置

Single

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