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  • 型号: IRF1902GTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1902GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1902GTRPBF价格参考。International RectifierIRF1902GTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1902GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1902GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOICMOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.2 A

Id-连续漏极电流

4.2 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1902GTRPBFHEXFET®

数据手册

产品型号

IRF1902GTRPBF

PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

7.5 nC

Qg-栅极电荷

7.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

85 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

85 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.7 V

上升时间

13 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

310pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 毫欧 @ 4A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

5.6 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.2A (Ta)

配置

Single

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