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  • 型号: IRF1407STRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1407STRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1407STRLPBF价格参考。International RectifierIRF1407STRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1407STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1407STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAKMOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1407STRLPBFHEXFET®

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产品型号

IRF1407STRLPBF

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

160 nC

Qg-栅极电荷

160 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

250nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.8 毫欧 @ 78A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF1407STRLPBFCT

功率-最大值

3.8W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

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