ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF1405SPBF
Datasheet下载- 型号： IRF1405SPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1405SPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1405SPBF价格参考。International RectifierIRF1405SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 131A（Tc） 200W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF1405SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1405SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1405SPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体应用场景广泛，特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子设备中。以下是一些主要的应用场景： 1. 开关电源 (Switching Power Supplies) IRF1405SPBF常用于开关电源中的功率转换电路。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合高频开关应用，能够有效减少开关损耗，提高电源转换效率。这类电源广泛应用于计算机、通信设备、消费电子产品等领域。 2. 电机驱动 (Motor Drives) 在电机驱动系统中，IRF1405SPBF可以用于控制电机的速度和方向。它能够承受较大的电流，并且具有良好的热稳定性，适合驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机等。其低导通电阻有助于降低发热，延长电机驱动系统的使用寿命。 3. 太阳能逆变器 (Solar Inverters) 太阳能逆变器是将光伏电池产生的直流电转换为交流电的关键设备。IRF1405SPBF在逆变器中作为功率开关元件，负责高效的直流-交流转换。其高耐压特性和低导通损耗使得它能够在高温环境下稳定工作，确保逆变器的高效运行。 4. 不间断电源 (Uninterruptible Power Supply, UPS) 在UPS系统中，IRF1405SPBF用于电池充电和放电管理电路中。它可以快速响应负载变化，提供稳定的输出电压，确保在市电中断时能够无缝切换到电池供电模式。其低损耗特性也有助于提高UPS系统的整体效率。 5. 电动工具 (Power Tools) 电动工具如电钻、电锯等需要高效的功率控制来实现快速启动和调速功能。IRF1405SPBF凭借其快速开关特性和低导通电阻，能够在这些工具中提供高效的功率管理，同时减少发热量，延长工具的使用寿命。 6. 汽车电子 (Automotive Electronics) 在汽车电子领域，IRF1405SPBF可用于车载充电器、DC-DC转换器和电动助力转向系统等。其高可靠性、抗干扰能力和宽温度范围使其特别适合汽车环境中的严苛要求。 总之，IRF1405SPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在对效率和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 131 A |
| Id-连续漏极电流 | 131 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1405SPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1405SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 毫欧 @ 101A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF1405SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 131A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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