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  • 型号: IRF1405PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1405PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1405PBF价格参考¥5.31-¥5.57。International RectifierIRF1405PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1405PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1405PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 55V 169A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

133 A

Id-连续漏极电流

133 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1405PBFHEXFET®

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产品型号

IRF1405PBF

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

170 nC

Qg-栅极电荷

170 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5480pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

260nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.3 毫欧 @ 101A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF1405PBF

功率-最大值

330W

功率耗散

200 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

5.3 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

170 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

133 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

169A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf1405.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf1405.spi

闸/源击穿电压

20 V

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