ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF1404PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF1404PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1404PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1404PBF价格参考￥5.44-￥5.71。International RectifierIRF1404PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 40V 202A（Tc） 333W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF1404PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1404PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1404PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 IRF1404PBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为开关元件。它能够高效地控制电流的通断，帮助实现稳定的电压输出。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高频率开关应用中表现出色，减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动 在电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机等）以及工业自动化设备中，IRF1404PBF可以用于驱动电机。通过精确控制栅极电压，它可以调节电机的速度和扭矩，确保电机平稳运行并降低能耗。 3. 电池管理系统 在电动汽车、储能系统和其他需要电池管理的应用中，IRF1404PBF可以用于电池充放电保护电路。它能够在过流、短路或过温等异常情况下快速切断电流，保护电池和相关电路的安全。 4. 逆变器 在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，IRF1404PBF可以用于将直流电转换为交流电。其出色的开关性能和耐压能力使其能够承受较高的电压波动，确保系统的稳定性和可靠性。 5. LED驱动 在大功率LED照明系统中，IRF1404PBF可以用于恒流源电路，确保LED灯珠在不同负载条件下都能获得稳定的电流供应，延长LED的使用寿命并提高光效。 6. 其他应用 此外，IRF1404PBF还适用于各种需要高效开关和功率控制的场合，如音频放大器、通信设备中的射频开关等。 总的来说，IRF1404PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在电力电子领域有着广泛的应用前景，特别适合于对效率、可靠性和成本有较高要求的产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 202A TO-220ABMOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 162 A |
| Id-连续漏极电流 | 162 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1404PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1404PBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 160 nC |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5669pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 196nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 121A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF1404PBF |
| 功率-最大值 | 333W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 162 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 202A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf1404.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf1404.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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