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  • 型号: IRF1324STRL-7PP
  • 制造商: International Rectifier
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IRF1324STRL-7PP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1324STRL-7PP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1324STRL-7PP价格参考。International RectifierIRF1324STRL-7PP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 24V 240A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)。您可以下载IRF1324STRL-7PP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1324STRL-7PP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF1324STRL-7PP是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。以下为其典型应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:IRF1324STRL-7PP可用于设计高效的降压或升压DC-DC转换器,适用于各种便携式设备、工业控制系统和通信设备。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。
   - 开关电源(SMPS):在开关电源中,该MOSFET可以作为主开关元件,用于高频开关操作,确保电源系统具有较高的能量转换效率。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机(BLDC)控制:该MOSFET适合用于驱动BLDC电机,特别是在电动工具、家用电器和电动汽车等应用中。它能够承受较大的电流波动,并且具有快速的开关速度,有助于实现精确的电机控制。
   - 步进电机驱动:在步进电机驱动电路中,IRF1324STRL-7PP可以提供稳定的电流输出,确保电机平稳运行,同时减少发热和功耗。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 电池保护电路:在锂电池或其他可充电电池的保护电路中,该MOSFET可以用作充放电控制开关,防止过充、过放和短路等异常情况,确保电池的安全性和寿命。
   - 电量监测:通过精确控制电池的充放电路径,IRF1324STRL-7PP可以帮助实现更准确的电量监测和管理。

 4. 工业自动化
   - PLC(可编程逻辑控制器):在工业自动化系统中,该MOSFET可以用于PLC的输入输出模块,作为信号隔离和驱动元件,确保系统的稳定性和可靠性。
   - 传感器接口:在传感器与控制系统之间的接口电路中,IRF1324STRL-7PP可以用作开关元件,实现信号的快速响应和高精度传输。

 5. 消费电子
   - 音频放大器:在音频设备中,该MOSFET可以用作功率放大器的输出级,提供大电流输出,确保音频信号的高质量还原。
   - LED驱动:在LED照明系统中,IRF1324STRL-7PP可以用于调节LED的亮度和颜色,实现节能和智能控制。

总之,IRF1324STRL-7PP凭借其优异的电气特性,广泛应用于各类需要高效功率管理和快速开关操作的领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

7.7 nF

描述

MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1mOhm 180nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

429 A

Id-连续漏极电流

429 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1324STRL-7PPHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF1324STRL-7PP

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

180 nC

Qg-栅极电荷

180 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

0.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

0.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

24 V

Vds-漏源极击穿电压

24 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V to 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

240 ns

下降时间

93 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7700pF @ 19V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

252nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 毫欧 @ 160A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK(7-Lead)

其它名称

IRF1324STRL-7PPDKR

典型关闭延迟时间

86 ns

功率-最大值

300W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB

封装/箱体

D2PAK-7

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

270 S

漏源极电压(Vdss)

24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

240A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1324s-7ppbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1324s-7ppbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Quint Source

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