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  • 型号: IRF1310NSTRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRF1310NSTRLPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1310NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1310NSTRLPBF价格参考。International RectifierIRF1310NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 3.8W(Ta),160W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF1310NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1310NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

42 A

Id-连续漏极电流

42 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1310NSTRLPBFHEXFET®

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产品型号

IRF1310NSTRLPBF

Pd-PowerDissipation

3.8 W

Pd-功率耗散

3.8 W

Qg-GateCharge

73.3 nC

Qg-栅极电荷

73.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

36 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

36 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

36 毫欧 @ 22A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF1310NSTRLPBF-ND
IRF1310NSTRLPBFTR

功率-最大值

3.8W

功率耗散

3.8 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

36 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

73.3 nC

标准包装

800

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

42 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1310ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1310ns.spi

闸/源击穿电压

20 V

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