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IRF1310NSTRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1310NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1310NSTRLPBF价格参考。International RectifierIRF1310NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 3.8W(Ta),160W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF1310NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1310NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1310NSTRLPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源转换: IRF1310NSTRLPBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动: 该器件适合用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中,提供高效的开关控制和稳定的电流输出。 3. 负载开关: 在需要快速切换负载的应用中(如汽车电子或工业设备),IRF1310NSTRLPBF可以作为高性能负载开关,确保系统稳定运行。 4. 电池管理系统(BMS): 在电池充放电管理中,这款MOSFET可以用作保护开关,防止过流、短路或过压等情况发生。 5. 照明系统: 用于LED驱动器或高压气体放电灯(HID)的镇流器中,实现精确的电流控制和调光功能。 6. 消费电子产品: 包括笔记本电脑适配器、家用电器中的功率控制模块等,利用其高效性能降低能耗。 7. 工业自动化: 在可编程逻辑控制器(PLC)、继电器替代方案以及工业传感器接口中,提供可靠的开关功能。 8. 汽车电子: 适用于车载电子设备,如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等,满足高可靠性和耐久性要求。 IRF1310NSTRLPBF凭借其出色的电气特性和封装设计,成为多种功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
Id-连续漏极电流 | 42 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1310NSTRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF1310NSTRLPBF |
Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
Pd-功率耗散 | 3.8 W |
Qg-GateCharge | 73.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 73.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 22A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRF1310NSTRLPBF-ND |
功率-最大值 | 3.8W |
功率耗散 | 3.8 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 36 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 73.3 nC |
标准包装 | 800 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 42 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1310ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1310ns.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |