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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010ZSPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010ZSPBF价格参考。International RectifierIRF1010ZSPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1010ZSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1010ZSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRF1010ZSPBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,且为单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:IRF1010ZSPBF可用于开关电源中的功率级电路,实现高效的电压转换。 - 降压/升压转换:在需要调节输出电压的场景中,该MOSFET可作为开关元件,用于控制电流流动。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低功率电机驱动器,如家用电器、玩具和小型工业设备中的电机控制。 - H桥电路:在双向电机控制中,该MOSFET可以用作H桥的一部分,实现电机正转和反转。 3. 负载切换 - 负载开关:用于控制高电流负载的通断,例如LED照明、加热元件或电磁阀。 - 保护电路:结合其他元件,可实现过流保护或短路保护功能。 4. 音频放大器 - 在D类音频放大器中,MOSFET可用作开关元件,以高效地放大音频信号。 5. 通信设备 - 射频前端:尽管主要为功率应用设计,但在某些低频通信设备中,也可用作开关元件。 6. 电池管理系统(BMS) - 充放电控制:用于锂电池或其他电池组的充放电路径控制,确保系统安全运行。 - 均衡电路:在多节电池串联的情况下,该MOSFET可用于电池均衡电路。 特性支持的应用需求: - 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,适合高效率应用场景。 - 高耐压能力:能够承受较高的电压波动,适用于需要稳定性能的环境。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频开关应用。 总结来说,IRF1010ZSPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,尤其适合需要高效功率转换和控制的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF1010ZSPBF |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 8IRF1010ZSPBF |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1010zsl.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1010zsl.spi |