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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF1010EZSTRLP
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF1010EZSTRLP产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010EZSTRLP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010EZSTRLP价格参考。International RectifierIRF1010EZSTRLP封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF1010EZSTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1010EZSTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAKMOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	75 A
Id-连续漏极电流	75 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1010EZSTRLPHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF1010EZSTRLP
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	140 W
Pd-功率耗散	140 W
Qg-栅极电荷	58 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	8.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	8.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	90 ns
下降时间	54 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2810pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	86nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	8.5 毫欧 @ 51A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	IRF1010EZSTRLPDKR
典型关闭延迟时间	38 ns
功率-最大值	140W
包装	Digi-Reel®
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	75A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single