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Datasheet下载- 型号： IRF1010EPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRF1010EPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010EPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010EPBF价格参考。International RectifierIRF1010EPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF1010EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1010EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220ABMOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 81 A |
| Id-连续漏极电流 | 81 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1010EPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1010EPBF |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Qg-GateCharge | 86.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF1010EPBF |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 170 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 12 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 86.6 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 81 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf1010e.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf1010e.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
