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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW65R190E6由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW65R190E6价格参考。InfineonIPW65R190E6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPW65R190E6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPW65R190E6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247MOSFET COOL MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20.2 A |
Id-连续漏极电流 | 20.2 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW65R190E6CoolMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043300464130130075c7f263b94 |
产品型号 | IPW65R190E6 |
Pd-PowerDissipation | 151 W |
Pd-功率耗散 | 151 W |
Qg-GateCharge | 73 nC |
Qg-栅极电荷 | 73 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 700 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 700 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 nS |
下降时间 | 10 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 730µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1620pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 7.3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
其它名称 | IPW65R190E6FKSA1 |
典型关闭延迟时间 | 133 nS |
功率-最大值 | 151W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 240 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 240 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20.2A (Tc) |
系列 | IPW65R190 |
配置 | Single |
零件号别名 | IPW65R190E6FKSA1 SP000863906 |