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  • 型号: IPW65R190E6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPW65R190E6由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW65R190E6价格参考。InfineonIPW65R190E6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPW65R190E6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPW65R190E6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247MOSFET COOL MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20.2 A

Id-连续漏极电流

20.2 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW65R190E6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPW65R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043300464130130075c7f263b94

产品型号

IPW65R190E6

Pd-PowerDissipation

151 W

Pd-功率耗散

151 W

Qg-GateCharge

73 nC

Qg-栅极电荷

73 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

190 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

190 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

700 V

Vds-漏源极击穿电压

700 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 nS

下降时间

10 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 730µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1620pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

73nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 7.3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IPW65R190E6FKSA1
SP000863906

典型关闭延迟时间

133 nS

功率-最大值

151W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

240

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

240

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20.2A (Tc)

系列

IPW65R190

配置

Single

零件号别名

IPW65R190E6FKSA1 SP000863906

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