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  • 型号: IPW60R250CP
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R250CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW60R250CP价格参考。InfineonIPW60R250CP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPW60R250CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPW60R250CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 650V 12A TO-247MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.250Ohms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW60R250CPCoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R250CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b38102a008dhttp://www.infineon.com/dgdl/IPW60R250CP_rev2%5B1%5D.2_PCN.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b38102a008d

产品型号

IPW60R250CP

Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

250 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

250 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 440µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1200pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

250 毫欧 @ 7.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IPW60R250CPFKSA1
SP000310511

功率-最大值

104W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

250 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

240

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

240

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

12 A

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

IPW60R250

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPW60R250CPFKSA1 SP000310511

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